详细日程公布！

聚焦前沿技术突破，赋能产业创新融合

4月27-28日

专家学者名企，相约相聚成都

2024功率半导体器件与集成电路会议

（CSPSD 2024）

会议详情

为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流，在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，极智半导体产业网 联合电子薄膜与集成器件国家重点实验室 、成都信息工程大学、电子科技大学集成电路研究中心、第三代半导体产业、中国电源学会元器件专业委员会于 2024年4月26-28日 共同主办“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”，论坛会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。

【会议时间】

2024年4月26-28日

【会议地点】

四川·成都·成都金韵酒店六层

【指导单位】

电子科技大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

【主办单位】

电子薄膜与集成器件全国重点实验室

成都信息工程大学

电子科技大学集成电路研究中心

极智半导体产业网（www.casmita.com）

第三代半导体产业

中国电源学会元器件专业委员会

【承办单位】

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

【协办支持】

成都氮矽科技有限公司

【程序委员会】

大会主席:张波

程序委员会主席:罗小蓉

副主席:赵璐冰 周琦

程序委员会:

邓小川 龙世兵 王来利 明鑫 杨树 刘斯扬 郭清 魏进 金锐 周春华 刘成 蒋其梦 高巍 包琦龙 潘岭峰 叶怀宇 刘雯 张召富 李虞锋 魏杰等

【主题方向】

1.硅基功率器件与集成技术

高压硅基功率器件（>200 V）、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、低压硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件

2.氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成

氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术

3.碳化硅、氧化镓/金刚石功率器件与集成技术

碳化硅功率器件、氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术

4.模组与封装技术

功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性

5.功率集成电路设计

功率集成IC设计、宽禁带功率器件驱动IC、功率集成电路测试技术、功率集成工艺平台与制造技术

6.面向功率器件及集成电路的核心材料及装备

核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入、封装、检测及测试设备等

【会议详细日程】

（双击日程图查看大图）

备注：上述日程或有微调，最终以现场为准。

【部分报告嘉宾介绍】

（介绍不分先后，仅供参考！）

赵璐冰

第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长

报告主题：《第三代半导体产业发展现状及展望》

嘉宾简介：赵璐冰，第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长。2004年获南开大学物理学专业理学学士学位，2009年获北京大学凝聚态物理专业博士学位，2011-2014年中科院半导体所博士后。在第三代半导体产业技术研究、国家科技规划编制、新型研发机构组建、产学研协同创新、科技成果孵化转化等方面具有10余年工作经验。

罗小蓉

成都信息工程大学副校长

电子科技大学教授、博士生导师

报告主题：《氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用》

嘉宾简介：罗小蓉，教授，博导，国家级人才计划入选者，爱思唯尔中国高被引学者，获国家科技进步二等奖、四川省科技进步一等奖、教育部自然科学二等奖等。长期从事氮化镓、氧化镓和硅基功率半导体器件与集成电路的研究，主持国防卓越青年科技基金、173重点项目、国家自然科学基金重点项目、国家科技重大专项和重点研发计划以及省部级项目等40余项，发表SCI论文120余篇，其中以第一作者和通讯作者在微电子器件顶级期刊IEEE EDL和IEEE TED上发表论文40余篇，作为第一发明人申请专利150余项，其中授权美国发明专利6项、中国发明专利80余项。

陈万军

电子科技大学

集成电路科学与工程学院副院长、教授

报告主题：《 硅基脉冲功率器件》

嘉宾简介：陈万军，博士、教授（博导），集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）副院长。2007年获电子科技大学博士学位，2007-2010年在香港科技大学进行博士后研究，2010年起任教于电子科技大学，2013年晋升为博士生导师，2014年破格晋升为教授。现为IEEE Senior Member、中国电子学会高级会员、中国电子学会青年科学家会员、四川省电子学会半导体与集成技术专委会秘书长、四川省电子学会抗辐射电子学与电磁脉冲专委会副主任等。兼任教育部高校电子信息类专业教指委委员、四川省高校电子信息与兵器类专业教学指导委员会委员、多个国家/省部级科技专家等。长期致力于新型功率半导体器件与集成技术领域的科学研究和人才培养工作，主持国家科技重大专项、173重点、国家自然科学基金、预研重点、瓶颈攻关等国家级/省部级和横向课题40余项。在IEEE EDL、IEEE T-ED、IEEE PE、IEEE IE、APL等国际权威期刊发表论文150余篇，其中SCI检索100余篇，引用次数超过2000次；在领域顶级国际会议IEDM和ISPSD上发表学术论文30篇；获授权美国专利、中国发明专利60余项。入选四川省杰青、四川省学术与技术带头人后备人选等；获国家教学成果二等奖、教育部自然科学奖二等奖（排名1）、四川电子科学技术一等奖（排名1）、四川省教学成果特等奖（排名2）和一等奖等；获中国研究生创“芯”大赛最佳指导教师、中国电子学会先进工作者荣誉称号、CASA第三代半导体“卓越创新青年”称号等。

王来利

西安交通大学系主任、教授

西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长

报告主题：《碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术研究》

嘉宾简介：王来利，西安交通大学教授、博导，入选国家级人才项目，中国电源学会杰出青年奖获得者，陕西科技创新团队带头人，承担国家级项目8项，发表学术论文240余篇，以第一完成人获得中国电工技术学会技术发明一等奖、中国电源学会科技进步一等奖、陕西省自然科学二等奖各1项，担任8个国际国内学术组织分支机构主席（主任）、副主席（副主任）职务，IEEE Transactions on Power Electronics等3个电力电子领域期刊副主编。

相  奇

广东芯粤能半导体有限公司副总裁

报告主题：《大规模碳化硅功率器件制造探索》

嘉宾简介：相奇，博士，广东芯粤能半导体有限公司副总裁，国家重大人才计划特聘专家。相奇博士在集成电路芯片工艺开发和生产制造，以及设计工艺协同优化（DTCO）、良率提升和品质控制等方面均有丰富经验。拥有20余年国际集成电路工业界工作经历，曾任AMD（Xilinx） 技术总监（Director）、格罗方德（Global Foundries） DTCO总监和格罗方德院士（Fellow）。中科院客座研究员，华南理工大学客座教授。拥有200多项美国专利技术，发表70余篇国际半导体期刊和会议论文。相奇博士是国际半导体技术路线图（ITRS）及国际半导体器件和系统路线图（IRDS）工作组成员, 曾任国际电子器件大会（IEDM）等多个国际会议技术委员会委员。

魏  进

北京大学集成电路学院研究员、博士生导师

报告主题：《如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用？》

嘉宾简介：魏进，北京大学集成电路学院研究员、博士生导师。长期致力于 GaN 基、 SiC 基功率电子器件的研究，在新型器件结构开发、可靠性技术、集成技术等方面取得一系列有一定国际影响力的创新成果。以一作/通讯作者发表学术论文70余篇，包括本领域权威学术会议IEDM 5篇，ISPSD 19篇，权威学术期刊IEEE EDL 16篇、IEEE TED 18篇。Google总引用3400 余次， H 因子 32，授权中国/英国/美国专利 10项。近五年作为项目负责人承担了国家重点研发计划子课题、国家自然科学基金面上项目等科研项目。

王德君

大连理工大学教授、博士生导师

报告主题：《SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性》

嘉宾简介：王德君，大连理工大学教授，博士生导师。长期从事第三代半导体SiC器件关键技术及装备研究。深耕栅氧及界面缺陷分析技术、可靠性制造技术及装备二十余年。解决了SiC MOS器件栅氧可靠性制造中的多项理论和技术问题，为产业发展提供了重要的理论和技术支撑。

章文通

电子科技大学教授

报告主题：《硅基超结-功率半导体More silicon发展的主力器件》

嘉宾简介：章文通，教授，国家级青年人才，研究方向为功率半导体器件与功率集成技术，主持国家自然科学基金面上项目、青年基金项目，参与国家科技重大专项、国家自然科学基金及多项横向合作课题项目。在本领域顶级期刊IEEE EDL和IEEE TED发表论文22篇，论文3次入选IEEE EDL封面Highlight论文，授权发明专利41项，含美国专利2项；获工信部技术发明二等奖、中国产学研合作创新成果二等奖，电子科技大学学术新人奖等奖项，获中国电子学会优秀博士论文奖，并由此入选2020年该学会首届“电子信息前沿青年学者出版工程”，出版专著《功率超结器件》。

程新红

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员

报告主题：《SiC MOSFET 过流保护技术分析与研发》

嘉宾简介：程新红研究员长期从事微电子学与固体电子学领域研究工作，主要研究方向为：宽禁带半导体功率器件、功率器件栅极驱动芯片及保护电路、DC/DC电源转换系统等。主持承担了国家02重大专项课题、国家自然基金项目、中科院国际合作项目、上海市科技创新行动计划等多项重大科研任务，取得多项创新性成果，在功率器件等领域中得到了实际应用。在IEEE Transactions on Industrial Electronics等期刊上发表SCI论文100余篇，申请专利30余件。2020年获得上海市科学进步二等奖。

金  锐

北京智慧能源研究院

功率半导体研究所所长、教授级高工

报告主题：《碳化硅MOSFET研究进展及面临的挑战》

嘉宾简介：金锐，教授级高级工程师，2009年毕业于英国帝国理工大学物理学专业，获理学博士学位。现任北京智慧能源研究院功率半导体研究所所长，是北京市优秀青年骨干计划获得者，“IEEE PES输配电技术委员会”委员，“中国电机工程学会电力电子器件专委会”委员，“功率半导体技术创新与产业联盟”副秘书长。主持编写柔性输电用IGBT器件相关企业和行业标准4项，出版专著2部，发表论文80余篇，申请专利150余项。

长期从事大功率半导体芯片和器件研发工作，作为“先进输电技术国家重点实验室”器件方向学术带头人，研发的3300V绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片和器件实现技术突破，被收录在2020年国资委《中央企业科技创新成果推荐目录》。2021年，自研3300V/1500A IGBT在厦门柔性直流输电工程的鹭岛换流站成功挂网运行，标志着IGBT核心技术实现了完全自主可控。作为最年轻的首席科学家，主持2016年首批国家重点研发计划项目，成功研制了具有自主知识产权的超大功率4500V/3000A压接型IGBT,可以支持大规模海上风电接入和长距离大容量柔性直流输电等新能源的战略实施,并在张北柔性直流工程延庆站示范应用，在国家“十三五”科技创新成就展中得到高度认可。

巫  江

电子科技大学基础与前沿研究院教授、副院长

报告主题：《基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备》

嘉宾简介：巫江，电子科技大学基础与前沿研究院副院长，教授、博士生导师，国家青年人才，四川省学术与技术带头人，先进光电子四川省青年科技创新研究团队负责人。曾任英国化合物半导体未来制造中心KPI、伦敦大学学院助理教授（终身教职）、博士生导师。研究领域包括化合物半导体材料、半导体激光器、光电探测器等。先后主持EPSRC Programme Grant课题、国家重点研发课题、国家自然科学基金面上项目等项目，在Nature Photonics、Nature Electronics等学术期刊上发表学术论文200余篇，入选爱思唯尔中国高被引学者。现为中国光学工程学会理事、英国工程技术学会会士、英国高等教育学会会士，兼任Discover Nano主编、Nano-Micro Letters等期刊编委委员。

张金平

电子科技大学研究员、博士生导师

报告主题：《IGBT的技术演进与未来发展趋势》

嘉宾简介：张金平，博士、电子科技大学研究员、博士生导师，美国伊利诺伊理工大学访问学者，长期从事功率半导体器件与集成电路的相关研究工作，主持和主研了数十项国家级、省部级和企业横向合作课题的研究，并与企业合作开展了IGBT、SiC MOS等相关器件及模块的产业化研发工作，实现了产品的大批量应用。在国内外学术期刊和会议上发表学术论文数十篇；以第一发明人获授权美国发明专利2项，中国发明专利100余项，部分专利实现了转让；获国家工信部科技进步二等奖1项，入选山东省泰山产业领军人才。主要研究方向：1）Si基功率半导体器件及模块，2）宽禁带功率半导体器件及模块，3）功率集成器件及智能功率集成电路。

张紫辉

广东工业大学教授、博士生导师

报告主题：《GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究》

嘉宾简介：张紫辉，广东工业大学百人计划特聘教授、博士生导师，省特聘专家、省特殊津贴专家，2006年毕业于山东大学并获理学学士学位，2015年毕业于新加坡南洋理工大学并获博士学位，入选2022年全球前2%顶尖科学家榜单。研究宽禁带半导体器件、半导体器件物理、芯片设计与仿真技术；已在Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices等期刊发表科研论文近200篇，其中以第一作者/通讯作者发表文章130余篇；参与出版学术专著5部；获授权美国专利、中国国家专利共计40项，已经完成成果转化5项；先后主持国家自然科学基金3项（其中重点基金项目1项）、参与科技部重点研发计划2项、主持省部级及各类人才项目、企业横向课题19项。 

徐跃杭

电子科技大学教授

电子科技大学长三角研究院（湖州）

集成电路与系统中心主任

报告主题：《金刚石半导体器件可靠性新机制》

嘉宾简介：徐跃杭，电子科技大学教授/博士生导师， 国家自然科学基金优秀青年基金获得者。担任International Journal Of Numerical Modelling-Electronic Networks Devices And Fields、Microwave and Optical Technology Letters特刊客座编辑（2019年）、《微电子与固体电子学研究与进展》等刊物副编辑/客座编辑或编委。主持了国家重大专项核心电子器件、国家自然科学基金、军委科技委创新特区/基础加强、装发预研等20多项课题。以第一作者或通讯作者在IEEE TMTT/MWCL（MWTL）、IEEE TED/EDL、APL等刊物上发表100余篇，授权国际发明专利/国家发明专利20余项，获得国防科技进步一等奖、国防科技进步二等奖和中国电子学会技术发明奖等省部级奖励3项，出版科学出版社专著《微波氮化镓功率器件等效电路建模理论与技术》、电子工业出版社编著教材《微波集成电路》等著作2部。

韦文生

温州大学教授

报告主题：《3C/4H-SiC异构结场效应器件的构建和模拟》

嘉宾简介：韦文生，博士，教授。1988年7月毕业于华中师范大学物理学专业，获学士学位，2004年7月毕业于北京航空航天大学材料学专业，获工学博士学位，2010年晋升教授。长期从事半导体材料与器件的设计、制备和测试分析，以第一完成人获得授权发明专利近30项，以及实用新型专利20余项；发表SCI、EI论文60余篇，以及教学论文近20篇；主持完成国家自然科学基金及省、市科技计划项目10余项。主要承担《电子器件》、《新能源及分布式发电技术》等硕士生课程，以及《电路》、《通信原理》、《传感器原理及应用》等本科生课程。

姚佳飞

南京邮电大学南通研究院 执行副院长

报告主题：《高K介质在横向功率器件中的应用》

嘉宾简介：姚佳飞，南京邮电大学副教授、硕士生导师。2016年毕业于南京邮电大学微电子学与固体电子学专业，获博士学位。入选江苏省333工程第三层次培养对象、江苏省科协青年科技人才托举工程。担任南京邮电大学南通研究院(有限公司)执行副院长/总经理、南通市集成电路封装设计重点实验室主任。主要从事硅基、SOI基和SiC基新型功率器件的设计、建模、封装、表征和测试研究，以及基于新型功率器件的匹配电路、驱动电路设计、版图设计和封测研究。主持国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年基金项目、江苏省自然科学基金面上项目、国家重点实验室开放课题等项目15项，在TED、CPB等国内外高水平期刊上发表学术论文60余篇，申请专利60余项。

黄铭敏

四川大学物理学院微电子学系，

微电子技术四川省重点实验室副教授

报告主题：《碳化硅功率器件的辐射效应及抗辐射技术》

嘉宾简介：黄铭敏，2016年6月博士毕业于电子科技大学。从事低功耗、高可靠、抗辐射功率半导体器件研究。主持国家自然科学基金青年基金项目、四川省科技计划项目和多项横向项目，参与国家自然科学基金面上项目、国防科技工业抗辐照中心创新基金等多个项目，研究涉及IGBT和超结MOSFET的新结构设计及开关可靠性优化、碳化硅功率器件的辐射效应及抗辐射技术等。已在IEEE EDL、IEEE TED等知名期刊及国际会议发表论文40余篇，其中一作/通讯作者SCI论文15篇。已获授权发明专利20余项，其中以第一发明人获美国发明专利1项，中国发明专利14项。2019年12月发表论文被Electronics Letters评选为当期唯一的Feature Article。担任IEEE TED、SST等多个SCI期刊审稿人。获得四川大学教学成果一等奖1次，校级教学奖项10余次。

周贤达

广东工业大学集成电路学院 副教授

报告主题：《非晶氧化物半导体功率器件：理论极限和初步实现》

嘉宾简介：周贤达，电子科技大学本科（2005年）及硕士（2008年），2013年博士毕业于香港科技大学，随后在香港工业界先后负责功率半导体器件的研发和生产，2017年至2022年担任中山大学电子与信息工程学院副研究员，自2022年起担任广东工业大学集成电路学院副教授（青年百人A级）。周贤达博士成功推出过多款量产产品，累计获中外发明专利授权18项，主持2项国家自然科学基金项目，以第一/通讯作者身份在行业顶级会议和权威期刊上发表学术论文12篇，并长期担任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》的审稿人以及业界知名企业技术顾问。

蒋华平

重庆大学研究员

报告主题：《碳化硅MOSFET动态阈值漂移》

嘉宾简介：蒋华平，博士，重庆大学“百人计划”特聘研究员，博士生导师。专注于碳化硅功率半导体芯片、封装、测试以及应用技术研究与开发10余年：中国中车2年、英国丹尼克斯（Dynex Semiconductor Ltd）4年、英国华威大学（University of Warwick）2年、重庆大学5年。发表学术论文共计70余篇，其中期刊论文40余篇、会议论文30余篇。中国发明专利40余项，其中已授权14项，英国发明专利2项。牵头制定第三代半导体联盟团体标准1项，参与制定美国JEDEC标准1项。最早于国际顶级期刊IEEE Electron Device Letter上报道碳化硅MOSFET动态阈值漂移问题。提出的局域电场增强理论，以及系列学术论文，被德国Infineon引用，作为JEDEC JEP195标准的制定依据。牵头制定第三代半导体联盟标准“碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法”。

刘  雯

西交利物浦大学高级副教授

报告主题：《用于功率转换系统的氮化镓单片集成》

嘉宾简介：刘雯博士，西交利物浦大学智能工程学院电子与电气工程系高级副教授，博士生导师，英国高等教育协会会士，IEEE 电路与系统/电子器件学会苏州分会主席，国家第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)青年创新促进委员会副主任委员，IEEE高级会员。2004年北京大学电子学系毕业，2008年取得新加坡南洋理工大学电子电气工程学院博士学位；主要研究方向宽禁带半导体氮化镓、碳化硅电力电子器件及其单片集成电路设计与制备关键技术。发表学术论文80余篇，多次受邀发表国际会议报告。

叶怀宇

南方科技大学研究员

报告主题：《碳化硅先进封装及全铜化技术》

嘉宾简介：叶怀宇，南方科技大学正高级研究员，博士生导师。国际宽禁带功率半导体技术蓝图委员会委员（ITRW），中国电机工程学会电力电子器件专业委员会第一届委员会委员，国际学术会议ICEPT、CSEE、EuroSimE, China SSL & IFWS学术委员会成员，IEEE Senior Member。主要研究领域为先进封装及测试技术，宽禁带半导体封装技术，功率器件全铜化互连技术，新型半导体材料和器件，先进封装材料，纳米金属烧结机理分析等。参与及主持欧盟国家省市级等各类科研项目超过20项。已经申请专利160余项，在国际期刊和学术会议发表论文超过100篇。

王  曦

西安理工大学自动化与信息工程学院 院长助理

报告主题：《光控型SiC功率器件的理论与实验研究》

嘉宾简介：王曦，西安理工大学，副教授，硕士生导师，陕西省功率半导体器件及装备创新团队成员，西安理工大学优秀青年教师，入选西安市科协青年人才托举计划。2019年毕业于西安理工大学微电子学与固体电子学专业，获博士学位，同年留校任教，现担任西安理工大学自动化与信息工程学院院长助理。主要研究方向为SiC功率器件，近五年主持或参与国家级、省部级和企业横向等项目25项，以第一作者在IEEE EDL、SST等上发表SCI论文10余篇。基于国内平台先后设计并研制了JBS二极管、MOSFET、npn晶体管以及光触发晶闸管等多款、多型SiC功率器件，获授权发明专利20余件，部分已实现转化。

母凤文

北京青禾晶元半导体董事长兼总经理

报告主题：《先进键合集成技术与应用》

嘉宾简介：母凤文博士长期专注于先进异质集成技术与装备的研究与开发，精通化合物半导体先进材料制备、器件低成本制造及后端封装整套工艺流程，原中科院微电子所研究员，中科院海外高层次人才，先后主持、参与日本总务省 5G 技术研究项目、日本学术振兴会项目、北京市科委重大专项、国家自然科学基金委项目及多项知名产业界公司合作研究项目。以第一、通讯作者身份在顶级及重要 SCI 期刊上发表文章 30 余篇，授权专利 100 余项，相关结果受到国外媒体广泛报道，多次国际学会邀请报告。曾获日本东京大学工学院院长奖、 2019 年教育部科技奖二等奖等。

刘  勇

成都氮矽科技有限公司资深GaN器件总监

报告主题：《PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术》

嘉宾简介：刘勇，博士，2020年12月毕业于电子科技大学电子科学与工程学院微电子学与固体电子学专业，期间参与“十二五”预研项目一项，负责耗尽型高压GaN HEMT器件的工艺制备和测试表征。2021年1月至2022年6月就职于英诺赛科（珠海）科技有限公司，担任低压产品副主任工程师，负责40V~150V低压产品的外延设计工作。2022年6月起就职于氮矽科技有限公司，担任资深GaN器件总监，主要负责低压和高压GaN HEMT器件设计。

刘  成

湖南三安半导体有限责任公司研发经理

报告主题：《应用于工业及汽车市场的GaN功率器件制造技术》

嘉宾简介：刘成，香港科技大学电子及计算机工程博士，化合物半导体制造（CSMantech）技术委员会委员。现任湖南三安半导体有限责任公司GaN电力电子研发经理，专注于新型Si基GaN功率器件的结构设计、先进工艺以及可靠度加固等研究领域。带领研发团队于2017年在国内首次演示了具有自主知识产权的E-HEMT产业化技术，技水水平持平甚至部分关键技术指标领先于国际业界标杆，为国内设计公司提供了芯片制造的本土化选择，填补了该领域的技术空白。截止目前，产品技术已完成超过60家客户的系统验证工作，其中24家已进入量产阶段。累计发表国际期刊论文40余篇，获发明专利授权10余项。

包琦龙

海思科技有限公司功率半导体器件部技术专家

报告主题：《ICT 场景下中低压(<200V) GaN 器件应用挑战》

嘉宾简介：包琦龙，海思半导体功率器件技术专家。2016年博士毕业于中国科学院微电子研究所，2016～2017年于香港科技大学任研究助理，同年加入华为技术有限公司，后升任技术专家，带领团队致力于GaN功率器件领域研究。

林书勋

成都海威华芯科技有限公司博士 生产总监

报告主题：《新型功率半导体器件在新基建中的应用》

嘉宾简介：林书勋，男，高级工程师，1986年生，2016年获得北京大学微电子学与固体电子学理学博士学位，同年加入成都海威华芯科技有限公司，现任海威华芯生产总监。主要研究方向为化合物半导体器件及电路设计及制造，在半导体物理、器件物理方面有深厚的理论功底，以第一作者在国际著名微电子学期刊杂志IEEE EDL、JAP等上发表论文10余篇，在国际上首次使用氧化辅助湿法腐蚀的方法实现增强型氮化镓功率器件，有10年以上化合物半导体研发及制造经验，并拥有国内外专利20余项，参与中国第一条6英寸化合物半导体专用生产线的建设及投产，开发了多套量产化的化合物半导体工艺制程，承担国家、省市级科研项目累计十余项。

唐高飞

杭州云镓半导体科技有限公司研发总监

报告主题：《氮化镓功率器件与工业级应用前景》

嘉宾简介：唐高飞，2010~2014毕业于电子科技大学微电子与固体电子学院，2014~2018于香港科技大学电子及计算机工程系攻读博士学位，主要从事氮化镓器件设计与单片集成技术开发。2018年加入华为技术有限公司数字能源产品线从事氮化镓器件产品开发。2023年加入云镓半导体，目前担任公司研发总监。

张亚民

北京工业大学微电子学院副教授

报告主题：《面向氮化镓微波功率器件的异质界面温升表征方法》

嘉宾简介：张亚民，北京工业大学，微电子学院，副教授/博导。2015年6月毕业于北京工业大学微电子学与固体电子学专业，获工学博士学位，同年留校从事教学科研工作。多年来一直致力于新型半导体器件及可靠性的研究。近5年，作为项目负责人先后主持国家自然科学基金青年基金、面上项目，北京市自然科学基金面上、小米创新联合基金等项目14项；发表SCI论文50余篇，其中近五年以第一作者或通讯作者在IEEE TPE/TIM/TED/EDL、APL等杂志发表SCI论文20余篇；授权发明专利20余件，作为主要人员研制的热特性分析仪器在30余家企事业单位应用，获北京市科学技术奖-技术发明二等奖，中国电子学会技术发明二等奖。

代高强

成都复锦功率半导体技术发展有限公司

副总裁，电源系统BU负责人

报告主题：《高功率密度高压DC方案改善算力系统配电效率》

嘉宾简介：代高强，成都复锦功率半导体技术发展有限公司合伙人，电源系统BU负责人，电子科技大学微电子学与固体电子学专业硕士。从事功率半导体的研发、应用相关工作十余年。 

蒋其梦

中国科学院微电子研究所 研究员

报告主题：《氮化镓功率器件开关安全工作区的研究》

嘉宾简介：蒋其梦，中国科学院微电子研究所研究员。2003年到2010年就读于电子科技大学，2015年毕业于香港科技大学获博士学位，同年加入国内Tier-1公司工作，2018年任氮化镓（GaN）功率器件开发团队带头人。2021年2月加入中科院微电子研究所，聘为研究员，获中科院百人计划择优支持。2010年以來一直致力于GaN基功率器件及集成电路的研究，在GaN-on-SOI衬底平台，硅基GaN衬底交调效应，硅基GaN集成电路设计等研究方面取得一些较有国际影响力的创新成果。带领研发团队，从0到1实现了具有自主知识产权的氮化镓器件及集成芯片的技术突破及产品量产。2013年获得国际顶级会议ISPSD最佳青年口头报告奖（Charitat Award）。

魏家行

东南大学集成电路学院副研究员

报告主题：《碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究》

嘉宾简介：魏家行，博士，东南大学副研究员，主要从事功率半导体器件及其集成技术的研究工作。共发表权威期刊和国际会议论文40余篇，其中一作/通讯20篇；授权PCT专利2项，中国发明专利15项；主持/骨干参与国家自然科学基金、国家重点研发计划等项目10余项；获东南大学“至善青年学者”支持；获2021年江苏省科学技术二等奖。

严颖怡

电子科技大学教授

报告主题：《在功率变换器中电流检测的挑战》

嘉宾简介：严颖怡，教授，国家级青年人才，IEEE高级会员，研究方向为功率变换系统设计和集成技术。在功率电子顶级期刊IEEE Transaction on Power Electronics、集成电路顶级期刊JSSC以及APEC、ECCE等国际会议上发表论文30篇。曾获IEEE Transaction on Power Electronics优秀论文奖及优秀审稿专家奖。2013-2023年在Linear Technology/Analog Devices任功率集成电路芯片设计师和设计主管。担任IEEE Transaction on Power Electronics和IEEE Open Journal of Power Electronics 副主编。获授权美国专利14项，中国发明专利3项。

李俊宏

电子科技大学

集成电路科学与工程学院 副教授

报告主题：《基于傅里叶乘法特性的高可靠性无半桥直流无刷电机驱动电路研究》

嘉宾简介：李俊宏，电子科技大学副教授，2013年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位，同年留校任教，主要研究方向为功率集成电路与功率集成器件，在国际上首次制备基于PZT高K介质的横向硅基功率器件，提出并实现了基于氮化硅高K介质的无拖尾电流LIGBT器件，在国内完成量产了基于磁隔离微型变压器的数字隔离器芯片，并成功作为驱动电路应用到半桥结构功率电路产品中。主持国家自然科学基金，总装811二期重点工程项目，总装预研项目，国防973二级子项目，电子薄膜与集成器件创新基金，四川省科技项目等二十多项科研项目。在IEEE EDL，IEEE TED上发表论文十余篇，授权两项美国专利和十多项中国发明专利，其中一项美国专利和中国专利已实现技术转让。

任开琳

上海大学微电子学院，副教授

报告主题：《一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管：面向高分辨率显示与高速光通信》

嘉宾简介：任开琳，上海大学副教授，博士毕业于新加坡国立大学，2021年入选上海市海外高层次人才引进计划。长期从事氮化镓基功率半导体器件及其光电集成相关研究。近五年在IEEE TED、APL、JAP等微电子器件权威期刊上发表SCI论文十余篇；在国际会议上报告研究成果五次；主持国家自然科学基金青年项目《外延一体化的氮化镓基HEMT与微LED单片集成器件研究》、上海市自然科学基金面上项目《面向高速功率集成电路的新型P沟道氮化镓基晶体管研究》，参与了上海市“科技创新行动计划”高新技术领域项目、新加坡教育部创新研究基金等多个纵向项目及海外企业横向课题。

何艳静

西安电子科技大学 副教授

报告主题：《SiC MOSFET浪涌可靠性的研究》

嘉宾简介：何艳静，副教授，硕士生导师。2018年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位，2019年留校工作。主要从事SiC基功率器件设计、工艺研发、器件制作及相关可靠性问题的研究，从2012年起一直从事SiC MOSFET器件的设计关键工艺及流片制备的研究，设计制备1200 V 5-150 A，1700 V 5-40 A，3300 V 1-30 A等多个系列预研产品，开发多个SiC MOSFET器件相关的关键工艺。主持过国家自然科学基金青年基金，广东省自然科学基金青年基金，广州市重点研发计划；作为主要成员参与并完成了国家科技重大专项 、教育部支撑计划等项目。近年来在Journal of alloys and compounds IEEE Electron Device Letters等国内外重要期刊和会议上发表论文15余篇，申请专利40余项。

化梦媛

南方科技大学 助理教授

报告主题：《Ga-O原子间势函数及其应用研究》

嘉宾简介：化梦媛，2013年本科毕业于清华大学物理系，2017年博士毕业于香港科技大学电子及计算机工程系，2018年至今为南方科技大学电子系助理教授，副研究员，博士生导师，致力于宽禁带半导体器件与IC研究，共发表国际高水平期刊与会议论文100余篇，引用超3100次。成果包括国际顶会IEDM 7篇， ISPSD 11篇，IEEE EDL 16篇，IEEE TED 8篇等，主持国家及省部级项目5项。

王方洲

松山湖材料实验室工程师

报告主题：《低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究》

嘉宾简介：王方洲博士，松山湖材料实验室公共技术平台工程师，毕业于电子科技大学，专注于GaN功率半导体器件的理论模型、结构设计、器件工艺和测试表征等方面的研究。在博士期间，通过松山湖材料实验室牵头的“广东省重点领域研发计划”合作项目，完整经历其公共技术平台的GaN器件工艺能力建设进程，主导和完成全流程关键工艺技术开发，面向应用需求实现整片晶圆上的大栅宽器件工艺整合，获得高性能和高一致性的增强型GaN功率器件。近年来，参与多项国家级和省部级项目，发表SCI期刊以及国际会议论文共20余篇，其中第一作者论文8篇，h-index为12，申请中国发明专利17项，其中授权7项。

孙佳慧

香港科技大学博士后

报告主题：《肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性》

嘉宾简介：孙佳慧，师从碳化硅器件专家盛况教授。2018年获得香港政府博士奖学金计划（HKPFS）资助，于香港科技大学攻读博士学位，师从氮化镓器件专家陈敬教授（Kevin J. Chen，IEEE fellow）。2022年博士毕业后，作为博士后在陈敬教授课题组继续从事研究工作。2024年5月将转任香港科技大学研究助理教授。近年来，围绕宽禁带半导体功率器件可靠性的主题，作为第一作者或通讯作者在电力电子与电子器件两大领域的顶级期刊发表论文11篇。作为第一作者，连续8年在功率半导体领域的顶级会议“功率半导体与集成电路国际会议” (ISPSD) 报道研究成果。申请了一项美国发明专利。作为第一作者发表的研究成果共获得20位中国、美国、丹麦院士和IEEE fellow以及十余家著名企业的引用与正面评价。 

李 旭

电子科技大学博士

报告主题：《碳化硅MOSFET的第三象限特性研究》

嘉宾简介：李旭，电子科技大学，博士研究生，一直从事宽禁带半导体SiC功率器件理论、模型、可靠性机理及其加固新结构研究，近五年主要进行高功率密度平面栅和沟槽栅SiC MOSFET在瞬态极端应力下的性能退化与失效机理研究。参与了国家自然科学基金重点/面上项目、国家重点研发计划子课题、以及省部级基金和企业横向项目等多项SiC功率器件领域的课题研究，在功率半导体领域顶级期刊IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device Letter、 IEEE Trans. Electron Device 以及 ISPSD、ICSCRM 等国际学术会议上发表论文10余篇，申请中国发明专利10余项。通过与国内科研院所和企业合作，基于国内碳化硅芯片制造平台，开发出650V~10kV不同电压系列的SiC MOSFET芯片和二极管。

崔鹏飞

大连理工大学博士

报告主题：《SiC MOS器件偏压温度应力可靠性劣化的缺陷物理机制》

嘉宾简介：崔鹏飞，大连理工大学博士，师从王德君教授。研究方向半导体缺陷物理。当前研究集中在偏压温度应力下SiC 栅氧界面缺陷与MOS器件可靠性劣化的物理机制研究。

刘人宽

电子科技大学

电子薄膜与集成器件全国重点实验室博士后

报告主题：《基于多层级多场域的压接型IGBT模块失效演化机制研究》

嘉宾简介：刘人宽，电子科技大学博士后，主持省部级项目1项，华润微电子公司专项研发计划1项，先后参与国家重点研发计划、国家自然科学基金智能电网联合基金重点项目、省科技计划重点项目，研究涉及大功率半导体模块多物理场建模分析、封装设计以及可靠性测评，参与研发的3300V、4800V级压接型IGBT模块、6500V级焊接型IGBT模块已成功应用于张北柔直、厦门柔直、复兴号动车组等多项国家重点工程项目中，在IEEE JESTPE、IEEE TED等期刊及国际学术会议上发表论文9篇，申请中国发明专利5项。

王晨璐

西安电子科技大学博士后

报告主题：《高压大功率氧化镓晶体管研究》

嘉宾简介：王晨璐，西安电子科技大学博士后，师从郝跃院士。荣获第五届中国研究生创芯大赛 “创芯之星”，获得主流媒体广泛报道。共发表12篇论文，引用次数超过500次，其中以第一或共一作者身份包括1篇高被引论文，IEEE Electron Device Letters论文3篇、Applied Physics Letters论文1篇及Journal of Physics D:Applied Physics论文1篇，参与第二十四届全国半导体物理学术会议，2023 Device Reference Conference会议上发表会议论文2篇。

更多报告嘉宾还在持续增加中，敬请期待！

【拟参与单位】

电子科技大学、成都信息工程大学、中芯国际、三安半导体、浙江大学、中国科学技术大学、东南大学、西安电子科技大学、西安交通大学、清华大学、山东天岳、科友半导体、国星光电、ULVAC、华虹半导体、斯达半导体、蓉矽半导体、阳光电源、扬杰科技、英飞凌、北京大学、厦门大学、中科院半导体所、南京大学、中科院微电子所、长飞半导体、华为、海思半导体、锴威特、基本半导体、中电科四十六所、中电科五十五所、天津大学、华大九天、西门子、博世、三环集团、中科院微电子所、中镓半导体、日立、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、国家电网、华大半导体、意法半导体、中博芯、西安爱科赛博 、小鹏汽车、复旦大学、东莞天域、比亚迪半导体、西安西驰电气、理想汽车、英诺赛科、士兰微、芯迈半导体、中国科学院电工所、立昂微电子、长川科技、众硅电子、莱普科技、海威华芯、麦科信、安徽大学、云镓半导体、西安理工大学、高芯半导体……

【活动参与】

1、注册费2800元（含会议资料袋，4月27日欢迎晚宴、4月28日自助午餐、晚餐）

2、缴费方式

①银行汇款

开户行：中国银行北京科技会展中心支行

账 号：336 356 029 261

名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

②移动支付

备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名+成都，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。

③现场缴费（接受现金和刷卡）

【联系我们】

报告及论文投稿联系：

贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com

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酒店名称：成都金韵酒店（成都金府路668号）

联系人 何经理 13548180263，2569807009@qq.com

协议价格：400  元/每晚（含早）

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