来源：意法半导体

· 双方同意对Soitec技术进行产前验证， 以面向未来的8寸碳化硅衬底制造

· 提供关键半导体赋能技术，支持汽车电动化和工业系统能效提升等转型目标

近日，服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体和世界先驱的创新半导体材料设计制造公司Soitec (巴黎泛欧证券交易所上市公司) 宣布了下一阶段的碳化硅 (SiC)衬底合作计划，由意法半导体在今后18 个月内完成对Soitec碳化硅衬底技术的产前认证测试。此次合作的目标是意法半导体采用 Soitec 的 SmartSiC™ 技术制造未来的8寸碳化硅衬底，促进公司的碳化硅器件和模块制造业务，并在中期实现量产。

意法半导体汽车和分立器件产品部总裁 Marco Monti表示：“汽车和工业客户正在加快推进系统和产品的电动化，升级到8寸 SiC 晶圆将为他们带来巨大好处，因为产品产量提高对于推动规模经济非常重要。ST选择了一种垂直整合的制造模式，从高质量的衬底，到大规模的前工序制造和后工序封测，在整个制造链中充分利用我们多年积累的专业技术专长。我们希望通过与 Soitec 技术的合作，不断提高良率和质量。”

“随着电动汽车的到来，汽车行业正面临巨变。Soitec通过尖端的 SmartSiC™ 技术，将独特的 SmartCut™ 工艺用于碳化硅半导体材料，将在推进电动汽车普及方面发挥关键作用。” Soitec 首席运营官 Bernard Aspar 表示：“将Soitec 的 SmartSiC™ 衬底与ST行业率先的碳化硅技术和专长整合，将改变汽车芯片制造的游戏规则，并树立新的标准。”

碳化硅 (SiC) 是一种颠覆性的化合物半导体材料，在电动汽车和工业制程领域重要的高增长功率应用中，碳化硅材料的固有性质令碳化硅器件的性能和能效优于硅基半导体。碳化硅可以实现更高效的电源转换、更紧凑的轻量化设计，并节省整体系统设计成本——所有这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和要素。从 6寸 晶圆升级到 8寸 晶圆，可以使制造集成电路的可用面积增加几乎一倍，每个晶圆上的有效出片量达到升级前的1.8-1.9 倍，因此大幅增加产能。

SmartSiC™ 是 Soitec 的专有技术，基于Soitec 专有的 SmartCut™ 技术，从高质量碳化硅供体晶圆上切下一个薄层，将其粘合到待处理的低电阻多晶硅晶圆片表面。如此加工后的衬底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可以多次重复使用，因此可以大幅降低供体加工的总能耗。

关于意法半导体

意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电力和能源管理更高效，物联网和互联技术应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.com

关于Soitec

Soitec半导体公司是全球先驱的创新性半导体材料设计生产企业，依托公司独特的半导体技术服务电子市场。Soitec 在全球拥有超过 3,700 项专利，通过不断创新满足客户对高性能、低能耗以及低成本的需求。Soitec 在欧洲、美国和亚洲设有制造工厂、研发中心和办事处。Soitec 致力于可持续发展，2021 年将可持续发展纳入企业宗旨：“我们是技术创新的土壤，是把高能效智能电子产品变成极好的可持续的生活体验的沃土。”

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