6月25日，国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届专家委员会会议召开。中国科学院院士、国家第三代半导体技术创新中心主任郝跃，中国科学院院士江风益，中国工程院院士欧阳晓(线上)，中国科学院院士杨德仁（线上），江苏省科技厅二级巡视员景茂，苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪乾等出席会议。会议由中科院苏州纳米所副所长、江苏第三代半导体研究院院长徐科主持。
今年1月，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地在苏州纳米城开工，项目首期占地105亩，总建筑面积超20万m²，其中汉天下电子研发中心总建筑面积约1.7万平方米，规划建设8英寸体声波滤波器及射频模组生产厂房，主要包括高频滤波器研发生产线、射频模组封装线、产品性能测试实验室等，拟作为苏州汉天下未来的器件工艺研发和生产制造中心。
本次会议，围绕“十四五”期间国家第三代半导体产业发展趋势，探讨国家第三代半导体技术创新中心支撑产业发展的建设路径。面向第三代半导体领域国家重大战略需求和产业发展需要，瞄准通信产业应用需求，围绕射频芯片的发展，苏州汉天下电子有限公司以高性能体声波滤波器的研发与应用开发为主线，解决设计、工艺等关键共性技术问题，联合江苏第三代半导体研究院有限公司共建“宽带通信滤波器芯片技术联合研发中心”，通过产业集群的协同优势，充分发挥企业的技术优势，形成优势互补和加强，共同培育和承担各类重大项目，推动高性能滤波器产业化。
