原创：半导体芯科技SiSC

第十一届晶芯研讨会

“汽车半导体先进技术研讨会”

已经成功举办了！

会议当天，三位演讲嘉宾的精彩分享

引得在线听众踊跃提问

由于时间原因

很多问题都嘉宾们都未能及时回复

现在我社与演讲嘉宾共同整理了问题汇总

接下来

快来看看您的问题有没有被解答呢？

讲师专业解答

中科米微电子技术有限公司-李伟 研发经理

1、苹果及华为的芯片堆叠技术是否为目前芯片性能提升的唯一方向，是否还有其他的方式？

堆叠技术属于高密度封装领域，芯片的性能提升主要在于芯片设计及加工工艺的提升，多芯片堆叠可以极大地减小芯片的体积。

2、激光雷达应用于车载自动控制系统确实是一条发展的方向, 但在2025年能突破市场,达到全面应用, 本人认为不太可能, 10年后,经过对目前状态的完善改良后,或有成功可能？

应用于真正的车载确实需要更长的时间，但对于一些固定区域固定路线的，环境不复杂的环境下，逐步的进行自动驾驶性能和可能性的积累，蓄势待发。

3、如您所述的应用，承载的载体是哪类材质芯片？对应的需求大概多少？

MEMS芯片用的主要是常规的硅介质材料。

4、MEMS微镜是否可以集成到头盔，用于户外骑行，安全性，有商用么？

我认为集成到头盔上技术上问题不大，主要在于实用性和成本。

5、MEMS微镜是否有晶圆背面工艺？会用到临时键合胶吗？另外，晶圆的划片切割是用UV膜还是石蜡进行切割？

背面工艺主要进行对准标记及减薄等一些工艺，临时键合胶暂未用到，晶圆切割采用激光切割比较好。

6、想咨询下MEMS芯片的测试方面的问题，MEMS一般有哪些测试方案，测试难点是什么？

MEMS类的器件没有统一的测试方案，比如麦克风、压力、加速度计、陀螺等，每一种芯片对应一种测试方案，因此，通常MEMS芯片的测试针对具体的指标需要长时间的积累。

7、中科米微算是一家IDM公司吗？晶圆是几寸的？

采用6寸和8寸晶圆加工。

8、MEMS器件的深硅刻蚀的深宽比需要多少？

根据芯片的设计，可能需要40：1这样的比例。

9、中科米微公司流片产线是几寸线？

以6寸线为主。

10、共振频率300到1000HZ，可以符合车载的需求吗？有机会做得更高吗？

振频率达到1k，可以满足部分厂商的应用，共振频率取决于整体的芯片指标及设计方案，可以做到比1k更高。

11、想请您科普一下小微镜和大微镜在应用上有什么区别？

应用于真正的车载确实需要更长的时间，但对于一些固定区域固定路线的，环境不复杂的环境下，逐步的进行自动驾驶性能和可能性的积累，蓄势待发。

12、静电驱动方式下，小角度对应小电压，这种情况下会不会比大角度下重复性差？怎么补偿？

重复性没有问题，多次重复角度曲线可以做到基本重合。

13、光通信MEMS的应用，工作温度可以满足-20或者更低的温度吗？

正常工作温度范围为-20℃~85℃，对于MEMS芯片本身来说，工作温度可以更低，可以达到-40℃，如温度更低，主要的问题在于封装方面引起的性能漂移，通过优化封装可以实现更低的使用温度。

14、光通信MEMS的应用，工作温度可以满足-20或者更低的温度吗？

正常工作温度范围为-20℃~85℃，对于MEMS芯片本身来说，工作温度可以更低，可以达到-40℃，如温度更低，主要的问题在于封装方面引起的性能漂移，通过优化封装可以实现更低的使用温度。

15、在HUD应用中LBS的成本为什么比DLP的成本更高？

主要在于相对来讲技术不是特别成熟，规模化量产后成本会远低于DLP芯片

深圳基本半导体有限公司-和巍巍 总经理

1、SiC模块是采用壳封还是塑封？塑封是否为未来车规级大规模生产的趋势？

壳封和塑封都将会继续被采用，用户可根据需求，综合成本及收益后进行选择；转模塑封型模块会是大规模生产的趋势之一。

2、请教目前实际应用碳化硅、氮化镓的功率器件时， 常用铝制背式散热器还是TEC散热？

铝制、铜制散热器为主。

3、请问银烧结工艺的材料和设备都是公司自己开发的吗，您对激光纳米银涂层工艺怎么看？

部分材料和设备是和供应商联合开发，烧结过程工艺是基本半导体自有技术竞争力；激光纳米银涂层工艺目前还不稳定，业界仍在探索中。

4、请问汽车用碳化硅功率模块发展前景怎么样？

在碳中和以及车辆电气化的背景下，车用碳化硅模块在未来的10年中都会保持持续高速发展。

5、银-铜颗粒混合烧结浆料在功率模块封装是否有应用前景？

尚需要进行具体实验验证。

6、SIC/GAN目前在新能源汽车特别是快充这块的应用如何，性价比何时能达到大规模产业化的条件呢？

性价比已达到大规模产业化的条件；目前行业在利用规模效应，进一步降低这两种材料制成的功率半导体的成本。

7、关于银烧结、铜烧结，质量控制关键的因素是什么？是否有可能合金烧结？

关键因素在于工艺的设计参数以及批量生产的稳定性。

8、目前行业内封装后的功率密度能做到多少？2、散热瓶颈是哪里？量产贴片胶导热率最高是多少呀？

散热瓶颈基本在散热板连接方式与散热板设计方面。

9、散热的材料或基体是否可以用石墨替代？在热导率，散热率，导电性和CTE会不会是一个突破点？荣耀. SQE？

这是一个我们也在进行研究的领域，可行性是有的。但是商业化还需要进一步探讨。

10、麻烦问一下封装打线用镀钯铜好还是铝线好？

需从模块的产品、性能定位来考量。

11、研发中的To grant 的产品，模块是烧结在散热器上？此项是主要考虑散热还是疲劳可靠性？

我们有在进行封装模块烧结的技术储备，主要是从产品性能上进行考虑。

12、我们讲SiC是指衬底SiC吗，还是外延SiC也算？

这是一个宽泛的概念，但在模块封装话题中，我们提的SiC大多是指切割好的SiC Die芯片。

13、碳化硅封装类型哪些？

传统的分立器件封装（TO-247, TO-263, TO-252）；传统的模块封装（HPD, ED3, EASY 2B）；新型的转模封装（Pcell, DCM, DSC等）。

14、SiN, AMB陶瓷基板结构中，表面附铜厚度，比如0.3，0.4，0.8，应该依据什么条件选择？

这个需要根据具体模块应用的需求进行选择设计。

湖南国芯半导体科技有限公司-戴小平 总经理

1、想问一下车规级芯片需要通过哪些认证?

从定义上看，‘车规级芯片’包括所有在汽车内使用到的芯片。我们公司从从事的主要是指功率芯片，包括Si IGBT、SiC MOSFET芯片等。车规级芯片认证流程长：一款芯片大概需要2年左右时间完成车规级认证，进入车企供应链后一般拥有5-10年的供货周期。车规级芯片需通过AEC-Q认证，需适应-40℃到-150℃的极端温度，高振动、多粉尘、有电磁干扰。

2、SLC基板使用高导热树脂作为绝缘介质， 其在高温高湿下的长期使用可靠性可以满足高压H3TRB的要求吗？

SLC基板使用的是有机高分子聚合物作为绝缘介质，在基板中起主要绝缘作用，由于采用的是聚酰亚胺或液晶类高分子等材料，其耐热和耐湿性能还是很不错的，结合高密度低吸水率的DP树脂封装的形式，比有传统的有机硅凝胶封装更具可靠性和技术优势，因此，是能满足高压H3TRB要求的。

3、想问一下，SLC封装技术相比于烧结技术哪一种会更适用于商业化，或者说这两种的区别？SLC封装技术目的是为了解决什么难题？

SLC封装技术是采用一体化金属基板以及高密度的DP树脂封装的一种封装形式，烧结技术是一种较为可靠的互连技术，目前来说，主流是纳米银烧结技术，而纳米铜烧结技术商业化的很少，市场几乎不可见；严格来说，SLC封装技术中的芯片等也可以采用烧结技术，两者并不冲突和矛盾，一个是封装模式，一个是互连技术，是两个不同的维度。SLC封装技术的目的主要还是为了提高中压模块的耐热冲击性和功率循环能力，提高模块的可靠性和使用寿命，就像我在PPT中介绍的一样。

4、IBM基板中的BT树脂，和BT树脂中的双马来酰亚胺是不是国产化率都很低？

目前来说IMB基板的绝缘层采用的一般是PI或者是液晶高分子，也有其他的绝缘性较高的材料，各个公司加工的基板都有自身特点。如单纯从树脂材料的层面上来看，树脂还是有国产化的，但是如何应用在IMB基板上，还需要走比较长的路。这需要基板制造商和模块封装企业的长期磨合。

5、请问DP树脂主要是哪一类的树脂？IMB基板的市场用量有多大？

DP树脂英文全称为Direct Potting，实质上是一种高粘度低膨胀系数的环氧灌封树脂。经过我们国外产品的分析，树脂组分主要是分子结构刚性较大的环氧树脂和无机矿物填料，固化剂采用的是改性胺和无机矿物填料，其玻璃温度较高。目前来说，采用SLC封装技术及IMB基板主要是日系企业比较多，欧美还是较执着于传统灌胶灌封的形式。但是随着碳化硅芯片在电动汽车及新能源领域的应用扩大，采用IMB基板封装的技术应该会更加成熟，应用范围更为大。

6、国芯半导体能否提供功率器件datasheet全参数测试业务？

国芯科技为湖南省功率半导体创业中心的载体，建设有研发中心、检测中心以及公共服务中心三中心。其中检测中心具备功率半导体单管/模块的全参数测试能力，我们检测中心具备CNAS资质，也欢迎来我们公司参观指导。

7、高低温的承受极限是多少? 有参数吗?

SLC封装技术也是我公司研发中心首次进行技术尝试，因此前期测试也比较慎重，对SLC技术封装的模块也是只做了初步的测试，特别是温度循环测试，只是进行了-40℃~125℃的较为保守的测试，未进行极限测试，因此暂时没办法提供该模块的承受极限是多少，相信等我们后期多轮测试后会可以取得相关的技术参数，请一起期待吧

8、高低温的承受极限是多少? 有参数吗?

IMB英文全称为Insulated Metal Baseplate，是一种又高分子材料为绝缘的基板，包括下铜层和上铜电路层，并不包含陶瓷；AMB英文全称为Active Metal Brazing，是指活性金属钎焊陶瓷衬板，AMB衬板是相对于DBC衬板而言的。两者是不相同的。采用IMB基板封装可以取代AMB或DBC陶瓷衬板，实现封装绝缘的一体化，提高模块的耐温度冲击能力和可靠性。

近期会议

2022年5月24日，由ACT雅时国际商讯主办，《半导体芯科技》&CHIP China晶芯研讨会将在苏州·金鸡湖国际会议中心隆重举行!届时业内专家将齐聚苏州，与您共探半导体制造业，如何促进先进制造与封装技术的协同发展。大会现已启动预约登记，报名链接http://w.lwc.cn/s/ZFRfA3

关于我们

《半导体芯科技》（Silicon Semiconductor China, SiSC）是面向中国半导体行业的专业媒体，已获得全球知名杂志《Silicon Semiconductor》的独家授权；本刊针对中国半导体市场特点遴选相关优秀文章翻译，并汇集编辑征稿、国内外半导体行业新闻、深度分析和权威评论、产品聚焦等多方面内容。由雅时国际商讯（ACT International）以简体中文出版、双月刊发行一年6期。每期纸质书12,235册，电子书发行15,749，内容覆盖半导体制造工艺技术、封装、设备、材料、测试、MEMS、IC设计、制造等。每年主办线上/线下 CHIP China晶芯研讨会，搭建业界技术的有效交流平台。独立运营相关网站，更多详情可点击官网链接：//www.xuanmaijia.com/