——进一步扩大公司在深硅刻蚀技术领域的领先优势，新的半导体制造方案支持用于汽车与智能技术的芯片开发

12月8日，泛林集团发布新产品Syndion^® GP，为芯片制造商提供深硅刻蚀技术，以开发新一代用于汽车、电力传输和能源行业的功率器件及电源管理集成电路。全新Syndion GP正是基于LAM生产验证的、用于深硅刻蚀的200mm DSiE™和领先的300mm Syndion产品来开发的。

有别于时下最热门的逻辑芯片以及存储芯片，用于控制或转换电力的功率器件在我们日益数字化的世界中发挥着至关重要的作用，支持从移动设备、空调与电饭煲等家用电器到电动汽车和高铁的一切，而且它们的应用还在迅速增长。新的应用驱动更高电压、更快开关和更高效率的功率器件向前发展，如从过去的上百伏发展至千伏以上电压运行环境。对于芯片制造商而言，先进的功率器件正在加速实现更精确的制造工艺，如高深宽比刻蚀。

泛林集团客户支持事业部Reliant系统产品副总裁Evan Patton表示，在不牺牲功率器件外形的前提下，通过采用更高深宽比沟槽在构建器件的结构，可以提高功率容量并改进开关性能。

图解：世界上最高的建筑之一哈利法塔的深宽比约为9:1，这仅为未来特种技术深硅沟槽深宽比的1/6。

这对芯片更高功率、更优性能和更大容量的需求日益提高，这要求进一步提升更高深宽比结构的跨晶圆均匀性。这些完善通过采用先进的器件结构即可实现，无需牺牲外形因素。为此，器件制造商需要具备极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺。

Syndion GP的问世正是为了支持这种精密制造工艺。目前，许多功率器件都选用直径200mm的硅晶圆；不过为了满足不断增长的需求，生产正在逐步转移至300mm晶圆。Syndion GP为功率器件和其他器件的一系列应用提供了200mm至300mm升级的解决方案，包括深度、关键尺寸均匀性以及轮廓控制，让芯片制造商能够实现未来的器件需求。

现有功率器件一般采用200mm制程，为满足300mm大尺寸化的半导体制造趋势，需要解决高深宽比带来的一系列工艺问题，如侧壁锯齿状、深度不均匀、CD不均匀等。

Syndion GP解决方案基于泛林集团行业领先的深硅刻蚀技术，并衍生出一系列特种技术产品。特种技术产品是指功率器件、微机电系统 (MEMS)、模拟和混合信号半导体、射频IC (RF)解决方案、光电器件和CMOS图像传感器 (CIS)，这些产品都支持包括电动汽车、物联网和5G在内的消费和工业技术以及应用。

泛林集团客户支持事业部及全球运营执行副总裁Pat Lord表示：“如今，对特种器件的需求持续快速增长。通过与客户的密切合作，我们发现，客户需要加速使用300mm晶圆来制造先进功率器件的路径。Syndion GP可以满足芯片制造商不断增长的需求，同时支持特种技术突破带来的持续创新。”

泛林集团的深硅刻蚀产品组合包括经生产验证的200mm DSiE™平台和市场领先的300mm Syndion GS，用于封装、混合存储器和CMOS图像传感器市场，而Syndion GP的出现让整个产品系列更加丰富。Syndion GP拥有一定的灵活性，可满足大批量制造工艺所需要的精度控制和产量提升，体现了为解决新一代器件挑战所必需的多样化深硅刻蚀解决方案。