新能源车全球普及加速，功率密度标准持续提升为 SiC 产业落地提供契机。欧盟方面，在民众诉求的推动下，欧盟的碳排放标准日趋严格，现行的碳排放标准要求 2021 年生产的乘用车碳排放量满足 95g/km，我们认为在此严苛要求下，新能源汽车或将替代燃油车。美国方面，拜登上台带来美国新能源政策转向，并计划于 2050 年实现碳中和，我们认为政府方面也希望借助特斯拉等头部企业助力美国汽车制造业在新趋势下保持领先地位。中国方面，2019 年中国石油对外依存度超过 70%，我们认为电动车对保障能源安全至关重要，且中国凭借市场空间、工程师红利等优势，有望借助汽车电动化实现汽车产业发展弯道超车的目标。我们看到，在各国制定的电动车发展路线图中，功率密度标准逼近主流 Si 基器件的性能极限，SiC 器件成为理想替代。我们认为 SiC 有望在电动汽车产业加速发展及渗透率提升的双重推动下迎来需求快速成长。

SiC 解决电动车三大需求痛点，规模普及即将到来。我们认为，SiC 有望从以下三个方面解决 Si 基器件的痛点问题：

1）续航里程是电动车的一大痛点，根据英飞凌数据，SiC 器件整体损耗相比 Si 基器件降低 80%以上，导通及开关损耗减小， 有助于增加电动车续航里程；

2）轻量化的实现。SiC 器件具备高饱和速率、高电流密度、高热导率的特点，有利于实现电控模块小型化、周边系统小型化、冷却系统简单化，从而减轻整车重量；

3）满足 800V 高电平要求。为配合快充应用， 车内电平向更高的 800V 提高是大势所趋，在 1200V IGBT 车规产品难以普及的背景下，使用 SiC MOSFET 是良好的解决方案。我们认为，目前 SiC 无法大规模商用的主要矛盾在于成本高昂，但根据我们的测算，在新能源车平价目标成本假设下 （三电成本与传统动力总成价格相当），若 SiC 的器件成本下降至硅基器件的 2 倍时，其经济效益有望助推 SiC 在全系列车型全面普及。

小器件大市场，中国车用 SiC 市场将迎来高速成长。我们测算，2025 年中国电动车及快充桩将带来 62 亿元/78 亿元的 SiC 器件/模块市场空间（模块中包含器件成本），2021-25 年 CAGR 高达 58%/35%。从产业链各环节来看，我们测算 SiC 衬底及外延片价值量合计占比超器件总价值量的 60%，2025 年中国本土导电型衬底片需求超 100 万片，行业上游重要性强，需求空间广阔。我国企业目前已经能 实现 6 寸片规模量产，8 寸片与海外的技术差距正在缩小。

新能源车全球普及加速，碳化硅产业落地迎机遇

欧洲：碳排放标准倒逼新能源车对传统燃油车进行替代

欧洲推出碳中和时间表。欧洲议会 2019 年 11 月宣布欧洲进入“气候紧急状态”，欧盟委员会在 2019 年 12 月启动了“绿色新政”，将 2030 年减排目标提升至 50-55%，并确定了 2050 年实现碳中和，碳排放要求日趋严格。

欧洲自 2009 年以来多次制定碳排放标准，现行的碳排放标准要求 2021 年生产的乘用车碳排放量需满足 95g/km。欧盟委员会在 2014 年提出到 2021 年，车企生产的乘用车的碳排放量需满足 95g/km，不达标的车企将面临巨额罚款。2018 年欧盟委员会进一步明确，在 2021 年的基础上，2025 年的碳排放量减少 15%；到 2030 年，减少 37.5％，分别降至 81g/km 及 59g/km。2019 年欧盟确定 2050 年实现碳中和的目标，将进一步推动更加严格的减排目标，正在推动 2030 年碳排放在 2021 年的基础上减少 60%的标准制定。

在日益严格的碳排放标准下，新能源汽车替代传燃油车成为必然趋势。燃油车的发动机难以进行本质革新，减排空间有限，新车平均碳排放量在 2015 年下降至 119.5g/km 后，2019 年反而上升至 122.4g/km。要达到上述 95g/km 的碳排放标准，只能大力发展新能源汽车， 提升新能源车的占比。

美国：民主党上台或将推动电动车产业链加速升级，促使其重回汽车产业链领导地位

拜登就任当日便签署行政命令，表示重新加入《巴黎气候协定》，并计划于 2050 年实现碳中和，有望助推新能源车产业链加速升级。根据拜登竞选推出的《清洁能源革命和环境计划》，其在气候领域提出的目标是到 2035 年通过可再生能源过渡实现无碳发电，到 2050 年美国实现碳中和，实现 100%的清洁能源经济。具体措施包括：恢复电动车全额 7,500 美金的税金抵免，取消目前的企业补贴 20 万辆的销量上限，加快新能源车推广，并计划于 2030 年前在高速公路区域建设超过 50 万个充电桩等。我们认为民主党在新能源领域的转向有望提升美国对于新能源车的政策支持，助推新能源车产业链加速升级。

特斯拉等头部企业有望助力美国重夺电动汽车制造业的制高点。汽车产业作为美国传统制造业的代表之一，二战以后却从辉煌走向衰落，我们认为主要是其经受了两次冲击：1）20 世纪 70 年代起，全球石油危机使精细化制造的日本汽车市占率迅速提升，以及 2）2010 年后德国品牌在中国市场的崛起。根据美国商务部统计，美国汽车行业产值占 GDP 的比重， 由 1978 年的 1.9%降至 2018 年的 0.8%。我们认为，由于汽车制造业产业链条长、上下游相关行业丰富，汽车产业对 GDP 的贡献远大于增加值本身，行业地位尤为重要。我们认为拜登政府的新能源政策将成为美国电动汽车市场发展的一大推动力，有助于使其在特斯拉等 电动汽车头部企业的倾力配合下，保持美国高端制造领域的优势地位。

中国：电动汽车是我国实现汽车产业弯道超车、保障能源安全的必然选择

汽车工业电动化为我国从汽车产业弯道超车提供契机。工信部在《电动汽车安全指南（2019 版）》中指出，汽车行业正在经历百年未有之大变局，电驱动相关技术、人工智能技术和互联网技术的快速发展为汽车产业的转型升级提供了强大的技术支撑，电动化、智能化、网联化是汽车产业转型重要的发展方向。对于传统燃油车，中国虽然拥有庞大的汽车供应体系，但关键零部件技术缺失，发动机、变速箱等设备依赖海外厂商进口，我们认为以电动汽车为突破口能够推进我国汽车产业转型升级，有望实现汽车产业发展的弯道超车。

汽车产业是国民经济中重要的支柱行业，能够拉动国内消费增长，其产业链长、提供就业机会多，对推动经济增长、促进社会就业有重要作用。汽车产业能够拉动我国消费需求及提供大量就业岗位，根据国家统计局数据，2010 年至 2019 年汽车销售额占中国社会零售总额比重均维持在 10%以上，2019 年汽车新车零售从业人员达到 120.92 万，占城镇就业人 数的 10%。同时，由于汽车行业具备高度综合性，产业链涉及国家工业的各个方面，上游包括发动机系配件、制动系配件等汽车零部件生产销售，涵盖了冶金、橡胶、玻璃、化工等重要的制造业部门，中游包括整车集成制造及销售，下游辐射汽车后维修保养、出行服 务等诸多市场。发展汽车产业能够直接及间接地拉动经济增加，提供就业岗位。

中国具备市场空间较大、“工程师红利”等优势，同时政策落地推动电动汽车发展。由于我国庞大的人口基数及消费升级趋势，电动汽车市场空间较大，根据中金公司研究部预测， 2025 年我国电动汽车的出货量将达到 669 万辆，占全球新能源汽车销量 47%，2021 年至 2025 年年复合增长率达到 35%。同时，中国每年高校毕业生人数持续增长，根据教育部的数据，2020 年高校毕业生人数达到 874 万人，为中国发展电动汽车提供了“工程师红利”， 向产业微笑曲线的两端延伸。在政府政策的推动下，新能源汽车产业的快速发展成为可能， 根据国务院办公厅印发的《新能源汽车产业发展规划（2021-2035 年）》，到 2025 年我国新能源汽车新车销售量占新车总销量的 20%左右，并完善双积分制度以补充财政补贴。

中国石油的对外依存度超 70%，能源安全问题有待解决。国际上一般将 50%的石油对外依 存度作为石油能源安全问题的“安全警戒线”，而根据中国统计局的数据，2019 年中国石 油对外依存度超过 70%，远超能源安全的要求。目前全球石油分配格局基本固定，且国际形势复杂，我国在自身石油生产无法满足需求的情况下，通过石油贸易和海外份额的方式获取石油资源的压力越来越大。

电动汽车对降低石油依存度，缓解国内石油消耗至关重要。根据自然保护协会数据，2017 年中国道路交通消耗的石油约占石油消费总量 48%，我们认为，减少汽车石油消耗能够降低我国的石油依存度。若采用天然气能源，我国天然气储量同样较低：根据海关总署数据， 2018 年中国是全球第一大天然气进口国，2019 年对外依存度达到 43%，难以支撑汽车的能 源需求。而相比之下，我国煤炭储量较大，能够实现电力的自给自足，同时还能够通过核能、太阳能、风能等方式增加电力供给，电动汽车成为解决能源安全问题的必然选择。

各国功率密度标准持续提升，碳化硅器件对硅基器件形成替代在即

美国能源部旗下的组织 U.S. Drive 在 2017 年发布的《电气电子技术路线图》4中指出，在 2025 年电控的功率密度需达到 100kW/L，效率应大于 98%；而电机的功率密度需达到 50kW/L， 效率应大于 97%。根据我国工信部发布的《<中国制造 2025>重点技术领域路线图（2018 年 版）》，在 2025 年，自主电控产品应实现功率密度不低于 25kW/L。我们认为，这个标准制定的初衷，是因为体积涉及到了汽车有效空间利用和乘客的体验。

目前电动汽车主要采用硅基器件，但受自身性能极限限制，硅基器件的功率密度难以进一步提高。在电动汽车的动力单元和控制单元中，变换器和逆变器多采用 Si 基 IGBT 或 MOSFET 作为功率器件。但 Si 材料在高开关频率及高压下损耗大幅提升，功率密度已经接近了其性能极限。我们看到，早期的主流混动车型中，其逆变器功率密度基本在 20kW/L 以下，而采用了第三代化合物半导体 SiC 材料的逆变器，由于 SiC 具有效率高、尺寸更小和重量更低的优势，可以将功率密度大幅提升，我们认为其是 Si 材料未来的理想替代。

性能优势助推碳化硅器件快速发展，规模普及即将到来

SiC 提升电能转换效率，增加续航里程

续航里程是电动车的一大痛点。结合英飞凌的研究数据，我们认为 SiC 器件可以从导通/开关两个维度降低损耗，整体损耗相比 Si 基器件降低 80%以上，实现增加电动车续航里程的目的。

SiC 材料临界击穿电场高，导通电阻低，可降低器件的导通损耗。由于 SiC 的禁带宽度 （3.3eV）远高于 Si（1.1eV），因此其漂移区宽度得到大大缩短、可实现的掺杂浓度也得到提高。在 SiC MOSFET 导通时，正向压降和损耗都小于 Si-IGBT。根据英飞凌研究， 当负载电流为 15A 时，常温下 SiC MOSFET 的正向压降只有 Si IGBT 的一半，在 175℃ 结温下，SiC MOSFET 的正向压降约是 Si IGBT 的 80%。

SiC-MOSFET 不存在拖尾电流，载流子迁移率高，降低器件开关损耗。Si-IGBT 模块中会集成快恢复二极管（FRD），在关断会存在反向恢复电流及拖尾电流，导致其开关速度受到限制，从而造成较大的关断损耗。而 SiC-MOSFET 属于单极器件，更像一个刚性开关，不存在拖尾电流，且较高的载流子迁移率（约 Si 的 3 倍）也减少了开关时间，损耗因此得以降低。根据英飞凌研究，在 25℃结温下， SiC MOSFET 关断损耗大约是 Si IGBT 的 20%；在 175℃的结温下，SiC MOSFET 关断损耗仅有 IGBT 的 10%。

SiC 助力新能源车实现轻量化

轻量化是整车厂的不懈追求。我们认为 SiC 器件具备高饱和速率、高电流密度、高热导率的特点，有利于新能源汽车零部件轻量化的实现。

SiC 材料具备更高的电流密度，相同功率等级下封装尺寸更小。SiC 具备较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度。在相同功率等级下，碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块，有助于提升系统的功率密度。以 IPM 为例，碳化硅功率模块体积可缩 小至硅功率模块的 2/3-1/3。

SiC 能够实现高频开关，减少无源器件的体积和成本。SiC 材料的电子饱和速率是 Si 的 2 倍，有助于提升器件的工作频率；此外，如上文所述，高临界击穿电场（10 倍于 Si） 的特性使其能够将 MOSFET 带入高压领域，克服 IGBT 开关过程中的拖尾电流问题，开关损耗低，提升实际应用中的开关频率，减少滤波器和无源器件如变压器、电容、电感等的使用，从而减少系统体系和重量。在实现相同电感电流的情况下，开关频率越高，可以适当降低电感值。

SiC 禁带宽且具有良好的热导率，可以减小散热器的体积和成本。由于 SiC 材料具有宽禁带宽度且热导率高的特点，更容易散热，器件可以在更高的环境温度下工作。理论 上，SiC 功率器件可在 175℃结温下工作。主流电动汽车一般包含两套水冷系统——引 擎冷却系统和电力电子设备的冷却系统，冷却温度分别为 105 和 70℃。如果采用 SiC 功 率器件，可以使器件工作于较高的环境温度中，有望实现两套水冷系统合二为一，甚至采用风冷系统，减少散热器体积及成本。

快充使得整车电平提高，IGBT 工作电压恐难满足需求

实现快充的关键是通过增大电流或提升电压提升充电功率，由于电流提升存在可预见的上限，高电压是实现快充的必然趋势。根据 e-technology 的研究，受到充电插头及电芯的温度限制，即使采用液冷充电插头，电动车充电也存在 500A 的电流上限，要实现 200kW 以上的快充功率，电动车必然会从 400V 系统转向 800V 系统。同时，达到相同功率的情况下， 提升电压则可以相应降低电流，减少散热及导线横截面。根据 e-technology 的估算，以 100kWh 的电池为例，从 400V 电车系统提升为 800V 电车系统，由于电池散热减重及导线质量降低可以推动电池实现 25kg 的重量降低，降低电车能耗，提升电车续航里程。

我们认为，若系统电压（总线电压）从 400V 提高至 800V，需要同时提高半导体器件的耐压的水平，650V IGBT 将无法工作，Si MOSFET 的耐压极限也会明显被超越，若采用 Si 基器件，必须使用 1200V IGBT。受限于体积、功耗、散热等因素，通常情况下 1200V 的 IGBT 模块一般服务于工业场景，很难通过车规认证，2018 年英飞凌才推出第七代 IGBT 技术，使 1200V 模块车用成为可能。但我们认为，SiC 的材料特性优势有望使其在 800V 系统部署中更受整车厂青睐，同时，输出功率的提升也使 SiC 材料成为 800V 系统的理想选择。

成本经济性问题有望在未来解决，车用 SiC 需求有望迎来快速成长期

目前，由于受到 SiC 长晶技术壁垒高（如：需要高温生长及精确控制；长晶速度很慢而不能像 Si 一样拉晶；炉体尺寸限制晶圆尺寸不好做大；材料硬度高韧性差容易断裂）、器件良率 低（如：掺杂工艺要求高、形成欧姆接触困难）等因素掣肘，因此 SiC 器件高昂的生产成本阻止了其初期被整车厂大量采用。

以目前的成本来看，新能源车的度电单价（三元、不含税）价格在 900 元人民币左右，而在 2025 年有望降至 560 元左右。假设 400km 续航里程，电池包的价格分别在 42,500 元 /24,000 元左右。若要增加 10%的续航，我们线性外推得到电池包的边际成本为 4,500 元 /2,400 元。

目前，SiC 器件成本约为硅基器件的 5 倍以上，为当前 SiC 器件难以在中低端车型大规模应用的主要原因。以 A 级车为例，主逆变器中 IGBT 器件成本约为 1,300 元，若替换为 SiC 则将会带来至少 5,000 元以上的成本增加，而同时带来 5%-10%续航里程的提升。我们测算， 若暂不考虑冷却系统节省的成本及空间节约带来的附加值，在新能源车平价目标下，若 SiC 能换取 5%-10%的续航里程增加，则当 SiC 的器件成本将下降至硅基器件的 1 倍时，其经济效益有望助推 SiC 在全系列车型全面普及；若采用 SiC 材料能增加电动车 10% 的续航里程，对于车厂来讲，单车成本的节约在 1,100 人民币左右。

小器件大市场，中国车用 SiC 将迎高速成长

我们测算，2021 年国内 SiC 器件/模块市场规模为 10 亿元/24 亿元，2025 年有望达到 62 亿 元/78 亿元，年复合增速达 58%/35%，迎来高速增长期

功率开关器件在新能源汽车中的应用范围很广，其中主要包括主逆变器、直流 DC/DC 转换 器、车载充电机等。我们以自上而下的方式，以新能源车出货量为基础，配合渗透率、SiC 模块/器件单车价值等假设测算，得出 2025 年中国新能源车及周边应用将带来 62 亿元的 SiC 器件市场空间，78 亿元的 SiC 模块市场空间（包含器件成本），2021-2025 年复合增速达 58%/35%。其中我们的关键假设如下：

第一，从成本下降曲线来看，我们认为 SiC 本身的成本下降曲线是线性的，但由于整体市场需求高涨，上游扩产积极，成本下降可能会呈现加速趋势，年同比降幅将有望 从低双位数加速至近 20%；

第二，从车型来看，我们认为到 2025 年 SiC 成本仍然难以下降至 A 级车 Si 基器件的 2 倍水平。中高级乘用车由于具有品牌溢价，成本上升带来的续航里程增加、轻量化等附加体验也更容易被消费者所接受，我们认为 B/C 级车大规模采用 SiC 器件的可能性 大，其中 Tesla 及比亚迪作为现有整车厂中最为积极两方（根据公开资料，Model 3 及比亚迪汉车型已经搭载了 SiC 模块的主逆变器），未来 SiC 器件渗透率有望继续加速。未来华为、苹果等大厂及小鹏、蔚来等高端造车新势力设计的整车也有望大量采用 SiC。而非豪华品牌 A 级（包含）及以下车型采用 SiC 的可能性很小。考虑到成本更高，对空间和续航里程敏感度更低等因素，在商用车方面，我们预计 SiC 渗透率将整体低于乘用车；

第三，从零部件种类来看，主逆变器（Inverter）会先进行 SiC 替换，由于车载充电机 （OBC）、直流转换器（DC-DC）、快充（Booster）等工作频率高，从 SiC 高频性能来看要优于 Si 基材料，同样存在较大替换空间；

第四，从器件类型及价值量来看，主逆变器中由于搭载 SiC 模块，半导体价值量最高， 而车载充电机、直流转换器等部分仅搭载单管器件，整体价值量不及主逆变器。

SiC 衬底及外延合计价值量占比超 60%，在产业链中地位至关重要

以 65nm 制程为例，目前 12 英寸硅片（抛光片）售价仅在 100 美元左右，而最终的晶圆售价高达 1,500 美元，原因在于 Si 集成电路工艺历经多次刻蚀、光刻、清洗等前道处理步骤， 在硅片表面制作器件的附加价值量高。而 SiC 仅被用于制造分立器件，其本身工艺难度并不大（SiC MOSFET 仍是横向平面工艺器件），衬底及外延质量则从很大程度上决定了最终的器件性能。根据我们的产业链调研，由于 SiC 衬底及外延生长温度高、速度慢、良率低等原因， 从价值量上看，2020 年 2,500 美元售价的 SiC 晶圆成品中，衬底片价值量约 1,100 美元，外 延片价值量约 500 美元，合计价值量达 1,700 美元，约占整体晶圆成品价值量的 63%。因 此，我们认为 SiC 产业链的上游环节地位至关重要，且从投资回报情况来看，SiC 基衬底的投入产出比要优于 Si，部分企业的投入产出比可以接近 1：1 水平（1 元人民币的投资对应 1 元年收入），是一个优良的赛道。

结合我们对 SiC 器件市场规模的测算及对衬底/外延部分价值量的假设，我们预计 2025 年中国本土新能源车用 SiC 衬底/外延片市场规模将达到 26 亿/39 亿人民币。

国产厂商全面布局导电型高纯半绝缘两类衬底，正努力追赶与海外差距

SiC 衬底主要分为导电型和半绝缘型两类，新能源车用半导体器件基于导电型碳化硅衬底制造。具体应用形式来看，导电型 SiC 衬底一般会再生长 SiC 外延层得到 SiC 外延片，主要用于制造耐高温、耐高压的功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、 航空航天等领域；而在半绝缘型 SiC 衬底上，通常会上生长 GaN 外延层，制得 SiC 基 GaN 外延片，可进一步制成微波射频器件，应用于 5G 通讯、雷达等领域。

导电型及半绝缘型 SiC 衬底在制作工艺上存在较大差异。在主流的物理气相传输法（PVT） 长晶工艺中，半绝缘型 SiC 衬底的生长对原材料碳化硅粉末纯净度要求高，同时需要在生长过程中加入钒杂质，掺杂工艺难度大。而导电型衬底相对容易获得，但需要对掺杂有较好的控制，且功率器件需要在较大衬底上生产才具备经济效益，SiC 单晶扩径问题也是壁垒。除了主流 PVT 生长方法外，我们也看到一些新工艺的进步，目前日本电装（DENSO）等企业正在利用高温化学气相沉积方法（HTCVD）将高纯气态碳源和硅源在高温结合，来得到 高阻值的碳化硅单晶，且生长速率能达到 1.0mm/h-3.0mm/h，值得长期关注。但综合考虑成本、良率及工艺成熟度等问题，我们认为目前 PVT 方法仍为市场主流技术。

碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，中国企业市场份额现较小。碳化硅衬底产品的制造涉及设备研制、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测等诸多环节，需要长期的工艺技术积累，存在较高的技术及人才壁垒。自 1955 年首次在实验室成功制备碳化硅单晶以来，美国、欧洲、日本等发达国家与地区不断创新碳化硅晶体的制备技术与设备， 形成了较大优势；而中国碳化硅晶体的研究从 20 世纪 90 年底末才起步，2000 年以后开始工业化生产的探索。根据 Yole Development 数据，2020 年上半年 Wolfspeed（Cree 全资子 公司）市占率达到 45%以上，国内龙头天科合达和山东天岳的合计市场份额不到 10%。

山东天岳、烁科晶体（中电科孵化）、河北同光（中科院半导体所孵化）现有主要产品为高纯半绝缘衬底，而天科合达（中科院物理所孵化）、世纪金光主要产品为导电型衬底。当前中国企业与 Wolfspeed 在技术研发上仍有较大差距，但差距正在逐步缩小，8 英寸碳化硅衬底研发及量产落后 3 年。以头部企业天科合达/世纪金光为例，根据天科合达招股书披露，公司于 2006 年开始小批量生产 2 英寸碳化硅衬底，分别于 2017 年及 2019 年开始大批量生产导电型及绝缘型 4 英寸碳化硅衬底，2020 年实现 6 英寸碳化硅衬底大批量生产。

而根据公开资料，世纪金光于 2020 年实现 6 英寸碳化硅衬底的量产6。对比国际一线厂商， 天科合达 2 英寸产品落后 16 年（国际厂商 19 世纪 90 年代开始），4 英寸落后 7 年（国际 厂商 2010 年开始），6 英寸时间进一步缩短至 5 年（国际厂商 2015 年开始）。Wolfspeed 于 2019 年 10 月推出 8 英寸碳化硅衬底样品，并计划于 2022 年量产，而天科合达于 2020 年 1 月开始进行研发，计划于 2022 年 6 月完成研发，届时中美两国差距有望进一步缩小。

2025 年导电型衬底片国内需求将达到 113 万片，国内厂商现有规划产能仍然不足

结合我们对 2025 年器件市场空间及单晶圆售价假设，我们测算出 2025 年中国新能源车及快充桩对 SiC 导电型衬底的年需求量高达 79 万片 6 寸晶圆。而由于 SiC 长晶、外延、前道 技术处理综合良率大幅不如硅基器件，目前良率水平仅在 50%左右（我们预计 2025 年有望 提升至 70%），实际 SiC 导电型衬底年产能需求将超过 113 万片 6 寸晶圆，市场空间十分可观。根据我们产业链调研的不完全统计，目前中国本土SiC衬底供应商已经有6家投入量产， 有公开数据披露的 2025 年产能规划合计基本与届时新能源车及快充桩需求相当。但考虑到 新能源发电、工业电源等应用场景中 SiC 仍然对 Si 基器件有大量替换空间，我们认为国内厂商现有导电型 SiC 产能规划仍存在缺口。

SiC 产业链主要包含以下四个环节：衬底生长、外延生长、器件设计及制造（或分工完成， 采用一体化的 IDM 模式）。中国本土目前企业已经实现了对产业链的全覆盖布局，但在较大尺寸导电型衬底（6 寸及以上）、MOSFET 器件设计制造上与海外同业者相比仍存在较大进步空间。

文章转自行研君，来源中金公司