来源：集微网、芯谋研究等

3月1日，芯谋研究获悉，被美国制裁的中芯国际与美国的沟通取得重大突破！美国商务部、国防部、能源部和国务院四部委，已批准美领先设备厂商，对中芯国际供应14纳米及以上（14纳米及28等成熟工艺）设备的供应许可（不知，ASML最先进的DUV设备是否囊括在内？）。不仅如此，此前中芯国际一直申请但未通过的用于14纳米晶圆外延生长的关键设备也获得了批准。而对于10nm及以下技术节点的出口许可，暂无进展。

对中芯国际乃至整个国内半导体产业来说，这是一个重大利好消息。14纳米以上成熟制程对中芯国际营收贡献最大。此次供货许可证顺利获批，既意味中芯国际的经营和业绩将恢复到正常，也说明中芯国际和美国相关部门的沟通与合作重新建立，为中芯国际和美国企业未来的进一步合作消除了障碍。

这不仅令中国芯片产业振奋，更缓解了中国芯片产能紧张的现状，为中国芯片设计公司的快速发展提供了产能保障。

究其原因，一是SMIC努力争取，二是美国设备供应商看重中国市场，三是目的得逞，既可以缓解来自美国厂商的压力又可以缓和两国贸易矛盾，最后划下道儿限制发展。至于暂时的“获益方”，SMIC可趁机扩大14nm或28nm产能。

兴证电子指出，中芯国际拿到成熟制程许可证的确定性较强，即28nm及以上节点会拿到许可证，目前看14nm也拿到许可证，超过预期，这意味着中芯国际在先进制程领域的发展还将继续，公司会持续享受14nm这个长工艺节点的红利。

根据中芯国际去年年末透露，公司14nm工艺已在2019年第四季度量产，良率已达业界量产水准，同时第二代FinFET已进入小量试产。财报显示，以技术节点分类，中芯国际14/28纳米占其2020年第三季度、第四季度收入占比分别达到14.6%、5%。

来源：中芯国际2020年第四季度财报

受成熟制程需求大增以及地缘政治因素影响，中芯国际联合首席执行官赵海军在今年2月举行的2020年第四季度电话会上曾表示，2021年公司对于先进制程的想法主要有三点：

一是保证生产的连续性，公司将继续与供应商推进出口准证的申请；二是谨慎扩产，去年年底公司已经完成了15000片安装产能的目标，但离经济规模尚远，如需进一步扩产，还需要走出口许可证申请流程；三是公司会考虑加强第一代、第二代FinFET多元平台开发的部件，并拓展平台的可靠性以及竞争力。

此外，中芯国际方面预计2021年资本开支为43亿美元，其中大部分用于成熟工艺的扩产，小部分用于先进工艺。

兴证电子认为，就中芯国际本身来说，随着其他相关美国供应商陆续拿到许可证，在当前全球产能紧张的行业背景下，认为中芯国际14nm及以上工艺节点的扩产将超出之前规划，公司远期的代工市场空间进一步打开。

“卡脖子”攻克进行中 这些公司14nm已取得突破

另一方面，就产业链来说，此次中芯国际拿到许可证的事件，意味着国内晶圆厂存储厂未来的扩产可见度及确定性进一步提升，继续看好晶圆厂存储厂产业链设备材料的远期发展机会。

值得一提的是，近年来，国家政策层面反复提及加快攻克半导体先进制程等“卡脖子”技术，其国产化诉求愈发强烈。在政策的推动下，随着技术的积累，我国产业链无论在设备、材料亦或是晶圆制造领域都有了长足的进步。

设备方面，北方华创可用于14nm制程的硅刻蚀机已进入生产线验证；中微公司16nm刻蚀机已实现商业化量产，7-10nm 刻蚀机已达世界先进水平；屹唐半导体去胶和快速退火产品市占率全球第二；上海微电子光刻机应用水平为90nm，预计2022年可交付28nm浸没式DUV光刻机。

材料方面，安集科技TSV抛光液处于行业领先水平，在14nm节点已实现小规模量产；沪硅产业12英寸硅片已获客户认证产品规格超50种，8英寸及以下硅片已通过认证的产品规格超550种，产品得到台积电、中芯国际、华润微等众多芯片制造企业的认可。

晶圆制造方面，中芯国际为缩短与全球最先进制程的差距，不断加大先进制程研发投入，相继完成了28纳米HKC+工艺及第一代14纳米FinFET工艺的研发并实现量产，第二代FinFET工艺的研发也在稳健进行中并进入客户导入阶段。

同时，利用公司先进的FinFET技术在晶圆上所制成的芯片已被广泛应用于智能手机、平板电脑、机顶盒等领域，公司研发费用率高于可比上市公司约12pct。预计高端手机AP/SOC、基带芯片、CPU、GPU、矿机ASIC等下游需求的逐步上升将为先进制程差距的进一步缩小提供更强大的动力。