来源：中关村在线

不久前，欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线上演讲中表示，在与ASML公司的合作下，更加先进的光刻机已经取得了进展。

目前ASML已经完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，至于设备的商业化。要等到至少2022年，而等到台积电和三星拿到设备，之前要在2023年。

台积电在材料上的研究，也让1nm成为可能。台积电和台湾交通大学联手，开发出全球最薄、厚度只有0.7nm的超薄二维半导体材料绝缘体，可望借此进一步开发出2nm甚至1nm的电晶体通道。台积电正为2nm之后的先进制程持续觅地，包含桥头科、路竹科，均在台积电评估中长期投资设厂的考量之列。2021年将是5nm迸发的一年，相对3nm也是诞生或者萌芽的一年。

据报道，台积电每台EUV光刻机每天耗电量高达3万度，其最新规划的3nm工厂年耗电量将达70亿度。缺电，或成为掣肘台积电的首要因素之一。SK 海力士此前曾表示：EUV的能源转换效率只有 0.02% 左右。目前250W的EUV光刻机，需要输入0.125万千瓦的电力才能达到，这个耗电量是传统ArF激光的10倍以上。250W的EUV机器工作一天将会消耗3万度电。

“极紫外光物理特性与一般常见的紫外光差异极大。1）这种光非常容易被吸收，连空气都不透光，所以整个生产环境必须抽成真空；同时，2）也无法以玻璃透镜折射，必须以硅与钼制成的特殊镀膜反射镜，来修正光的前进方向，而且每一次反射仍会损失三成能量，但一台EUV机台得经过十几面反射镜，将光从光源一路导到晶圆，最后大概只能剩下不到 2% 的光线。”这也是 EUV 机台如此耗电的主因之一。

正因为如此，台湾的人均耗电量高得惊人，完全是因为台积电拉高了平均值。而随着全球的先进新品都在台积电进行代工生产，因此其产能全开电力供应将会接受严苛的考验。台积电如果想要继续攀登先进工艺的高峰，可能首先需要考虑电力供应的问题了。