人工智能（AI）、自动驾驶、增强/虚拟现实（AR / VR）和5G等前沿应用都需要开发高带宽、高性能和低功耗器件，而又不会增加生产成本。随着传统的二维微缩达到其成本极限，半导体行业正在转向异构集成；也即通过制造、封装和组装的方式将具有不同特征尺寸和材料的多个不同器件或芯片集成到单个器件或封装件当中。

晶圆到晶圆（W2W）混合键合涉及不同生产线的晶圆堆叠和电学连接，这是一项异构集成的核心工艺，并在某些应用中有着成功的记录，如CMOS图像传感器和各种内存以及逻辑技术。然而，由于器件或芯片的大小不同，D2W混合键合为实现异构集成提供了可行的途径。新的D2W键合解决方案脱胎于经过市场验证的W2W混合键合技术，并获得异质集成能力中心（Heterogeneous Integration Competence Center™）的支持及行业合作经验，EVG可以很好地支持D2W键合应用。

EVG320 D2W是一个高度灵活且独立运行的模块化平台，具有通用的硬件/软件接口，可与第三方芯片键合系统实现无缝集成。该系统集成了EVG先进的清洗技术和等离子活化技术、芯片对准验证和其他必要的计量学，可在其行业标准的W2W融熔和混合键合^【1】平台中使用，并且已在全球数百个已安装的模块中得到验证。

此外，EVG320 D2W还具有EVG的对准验证模块（AVM），这是一个集成的计量模块，可以向芯片键合机提供有关关键工艺参数的直接反馈。这些关键工艺参数包括芯片贴放精度、芯片高度以及键合后的测量，用于改进制程控制。

EVG320 D2W还具有灵活的基板处理能力，可以容纳任何类型的芯片载体或胶片框架（film frame），这些载体可以支持等离子活化，混合和融熔键合的洁净标准以及SECS/ GEM标准支持。

借助EVG在混合键合技术上数十年的经验，EVG320 D2W满足了对创新工艺解决方案的关键需求，这些工艺解决方案可以加快异构集成的部署并支持新一代设备和系统，例如高带宽存储器（HBM）、逻辑存储器、chiplets、分段式和三维式SoC器件、以及3D堆叠式背面照明CMOS图像传感器。

EV Group执行技术总监Paul Lindner表示，“二十年来，EVG凭借全球最大的晶圆键合机装机的坚实基础，不断为W2W合键合和熔融键合树立新的标准。”我们已开始使用D2W晶圆键合机EVG GEMINI^® FB系统的专用版来满足新兴D2W市场的需求。

【1】混合键合(Hybrid Bonding)技术可实现更小的凸点间距，并可取代当今大多数封装技术中使用的“热压结合”工艺；据Intel表示，混合键合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，提供更高的互连密度、更小更简单的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。