2020/11/21 14:43:26
来自:《电子工程专辑》
随着SK海力士(SK Hynix)与英特尔(Intel)大连厂收购案的成形,闪存(NAND Flash)产业的整合也拉开序幕。虽然5G、大数据、智能物联网以及AI的迅速崛起,带来了NAND Flash应用的增长,但供应商竞争态势依然激烈,大家扩产态势积极,短期内仍将保持供过于求和价格下跌局面。
11月20日,2020年北京微电子国际研讨会暨 IC WORLD 学术会议在北京举行,长江存储(YMTC)首席执行官杨士宁表示,长江存储64层3DNAND成功打入华为Mate 40供应链。而以往手机闪存这样的核心器件,国产手机主要是依赖三星、铠侠、西数、美光等美日韩公司。
长存64层3D NAND—“出道即巅峰”
长江存储成立于2016年,2018年量产32层NAND Flash,2019年9月64层基于Xtacking架构的256Gb 3D NAND Flash宣布量产。
这也是国内第一个宣布量产64层堆栈3D NAND的厂商,Xtacking架构拥有的独立加工模式,使产品开发时间缩短了3个月,生产周期缩短了20%,也在很大程度上提高了产品性能。
杨士宁表示,虽然这只是长存的第一个64层产品,但已经做到了中国企业华为的Mate 40旗舰手机里面,可谓“出道即巅峰”。在这里面,也看到了中国国内半导体产业链彼此协同合作和未来长远的发展机会。
此外,杨士宁还展示了 Xtacking 技术,表示:“在这一方面,长江存储也是走在国际最前沿,技术也是非常先进的,以后可以委托给中芯国际代工;同时也要感谢国产同行的支持。”他还表示,目前只有带有 Xtacking 标签的终端产品才拥有真正的长江存储国产闪存芯片。
用3年的时间,长江存储实现从32层到64层再到128层的跳跃式发展。杨士宁表示,长江存储与其它厂商相比,仅用3年完成他们6年走过的路,目前的技术处于全球一流水准,下一步是解决产能的问题。
从长江存储公布的最新路线图可以看出,今年4月发布的128 层的TLC/QLC NAND Flash也正在推进。
在今年举办的中国电子信息博览会上,长江存储展示了128层QLC闪存产品,它是业内首款128层QLC规格3D NAND,且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND Flash容量。
2020年全球存储厂商已经基本上集体跨过了“百层关卡”,三星2020年4月份开始量产128层,美光、SK海力士均推出了128层3D NAND闪存芯片,西数、铠侠则推出了堆栈112层,不过其存储密度更高。长江存储将在128层的量产时间上紧紧追赶头部厂商。
杨士宁表示:“我说我们不做最后一名,我们肯定不做最后一名,但跟我们比的都是有很长历史的竞争对手。虽然不是官方宣布,但我们会争取在下一代技术走到最前沿,争取做到第一名或第二名。”
根据CFM公布2020年三季度闪存芯片全球市场份额显示,三星为33.3%,位居第一;Kioxia(东芝铠侠)21.4%;西部数据为14.3%;SK海力士为11.3%;美光为10.3%;英特尔为7.9%。
这六家企业占据了全球闪存市场的98.4%。目前长江存储的产量位列全球第七,约占1%。现阶段从占有率看,还不能从根本上影响美日韩。但随着长江存储产能、良品率不断提升,将对美日韩的国际存储芯片厂商带来冲击,竞争将加剧。
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