来源：SEMI

由SEMI中国主办、华灿光电承办的“化合物半导体设备与材料论坛”于2020年9月29日在义乌三鼎开元名都大酒店盛世厅举行。
 
与硅材料相比，以InP、GaAs、SiC、GaN等代表的化合物半导体具有更宽的禁带，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点，其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景，非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。在光电显示、5G通讯、功率器件、新能源、现代交通领域发挥着越来越重要的作用。

在部分领域，化合物半导体存在良率偏低、加工难、大规模制造效率不高的难题，制约了其在相关应用领域的普及。因此不断发展化合物半导体制制造新技术，对提高产业效率、降低成本，发挥其应有的性能发挥着重要的作用。本次论坛将着重探讨化合物半导体最新制造技术，以及制程中所涉及的关键设备与材料。

此次会议上午场由瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理冯淦先生主持，华灿光电股份有限公司总裁周建会先生致欢迎词。会议下午场由华灿光电副总裁、SEMI中国化合物半导体 & HB-LED标准技术委员会主席王江波先生主持。来自化合物半导体产业链领先企业华灿光电、福建北电、华泰联合证券、爱发科、南京大学、中微半导体、中科院苏州纳米所、威科赛乐微电子、奧趋光电、北京邮电大学、中电科13所、北京聚睿众邦等参加本次研讨会并做报告分享，产业界超200名嘉宾出席了本次会议。

华灿光电股份有限公司副总裁王江波就新一代显示用Mini/MicroLED芯片技术的研究与展望进行了探讨。王博士提到步入超高清显示时代，Mini/Micro LED 技术是市场的最佳选择。Micro LED作为下一代的显示技术的核心方案，华灿光电及其他产业链龙头企业已积极布局。作为全球最大的LED显示芯片制造商，华灿光电已经率先量产Mini LED芯片产品，并应用于终端市场。在Micro LED芯片技术方面，华灿在Sub微米级的工艺线宽控制、芯片侧面漏电保护、衬底剥离技术（批量芯片转移）、阵列键合技术（阵列转移键合）、Micro LED的光形与取光调控方面取得了较好的结果。

福建北电新材料科技有限公司副总经理张洁介绍大尺寸碳化硅衬底关键制造技术及挑战。与传统半导体材料相比，碳化硅（SiC）在高温、高频、高功率和抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。

华泰联合证券有限责任公司执行总经理田来向大家阐述科创板如何助力中国半导体企业发展。科创板通过其注册制、包容性、市场化审核高效等特点，对支持半导体行业的发展有着重大意义。现今是产业和资本互帮互助的时代，而半导体作为国家战略行业，在得到国家资本和产业政策双重大力支持下，A股半导体上市公司将迎来绝佳发展机遇。

爱发科(苏州)技术研究开发有限公司研发工程师芦深介绍碳化硅MOSFET的器件结构，爱发科使用高温注入可以大幅度的提高SBD和MOSFET的器件良率，以及爱发科在化合物半导体领域的离子注入技术。

南京大学教授陆海详细探讨了宽禁带半导体紫外传感技术与应用。陆教授介绍第三代半导体紫外传感器技术、紫外单光子探测技术。由于其优异的材料性能，以III族氮化物和SiC为代表的宽禁带半导体是制备紫外传感器件的优选材料。

中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平详细探讨了MOCVD设备技术发展及新挑战。

中科院苏州纳米所研究员周宇介绍硅基氮化镓电子器件及材料研究进展。

奧趋光电技术（杭州）有限公司CEO兼总经理吴亮详细探讨了氮化铝单晶生长技术及其装备进展，并分享了氮化铝单晶在光电领域、5G射频、功率器件的应用展望。

北京邮电大学教授唐为华介绍关于氧化镓光电器件和功率器件特性。中国镓元素储量全球第三位，高纯度氧化镓原料储备丰富，生长晶体能耗降低80%，成品率可达到50%及以上。

河北半导体研究所/中国电子科技南湖研究院教授孙聂枫就InP产业的新趋势和发展进行探讨。磷化铟（InP）是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。随着万物互联时代的到来国内外InP市场需求增长明显，InP材料及器件的电子迁移率高、噪声低、增益高，当电子器件工作频率在100GHz以上时，传输速度超过100Gbps时，InP成为首选材料，在微电子领域不可或缺。

北京聚睿众邦科技有限公司认证部部长王飞飞介绍了SEMI S2标准、关键技术及认证流程。SEMI S2标准是半导体制造设备的环境、健康和安全指南。S2标准围绕保护人员、财产和环境安全，降低设备风险，适用于生产、改良和研发环境的所有设备。半导体设备经过SEMI认证更加保障了制造环境的健康与安全。

威科赛乐微电子股份有限公司总经理苏小平分享砷化镓在半导体激光器领域的应用新进展。砷化镓 (GaAs) 是一种非常重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物，与硅相比禁带宽度宽 (1.43eV)、电子迁移率高 (约为硅材料的6倍多)，且具有耐高温、抗辐射、直接带隙、消耗功率低等优点，在超高频、超高速、高温及抗辐射等微电子和光电子器件上时有独特的应用优势。VCSEL市场的高速增长将驱动高端GaAs衬底需求增长。