光刻胶关联新闻：上海新阳签署搭建光刻胶验证平台的合作框架协议

晶瑞股份发布公告：经多方协商、积极运作，该公司顺利购得 ASML XT 1900 Gi 型光刻机一台。

该光刻机于 2021 年 1 月 19 日运抵苏州并成功搬入公司高端光刻胶研发实验室，即将组织调试。此外，这款  ASML XT 1900 Gi 型 ArF 浸入式光刻机可用于研发最高分辨率达 28nm 的高端光刻胶。

晶瑞股份拟斥资7500万人民币从韩国SK购买ASML光刻机设备

来源：Techweb

晶瑞股份于9月28日晚公告称，开展集成电路制造用高端光刻胶研发项目，晶瑞股份早间公告，为开展集成电路制造用高端光刻胶研发项目，拟通过Singtest Technology PTE. LTD.进口韩国SK Hynix的ASML光刻机设备，总价款为1102.5万美元（折合7508万人民币）。

晶瑞股份同时披露，拟发行不超5.5亿元可转债，用于集成电路制造用高端光刻胶研发项目、阳恒化工年产9万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸技改项目、补充流动资金或偿还银行贷款。

据公告显示，据晶瑞股份2020年半年报显示，公司上半年归属股东净利润2030.2万元，较去年同期上涨40.61%，总资产20.92亿，较去年同期扩大60.84%。

（SiSC评论：据深圳先进电子材料国际创新研究院的张国平博导表示，材料研发相对材料验证而言仅是小部分投入。为了验证光刻胶而采购一台光刻机，真可谓大投入。Nikon及Cannon在i线光刻机领域的双方市占率分别为18%及49%。从以下披露的信息可以看出：这款ASML机台用于KrF (248) （.25~.15µm）光刻胶材料的验证。

据同花顺金融研究中心9月11日讯，有投资者向晶瑞股份提问：1）公司承担的02国家重大专项光刻胶项目是否已经通过国家重大专项办的验收？（已通过国家重大专项办的验收）；2、高端KrF（248）光刻胶处于中试阶段，生产线是否己建？中试预计需多长时间？是否己与使用单位对接好？（KrF光刻胶产线正处在中试阶段，其余问题暂无答案）

目前，国产光刻胶厂商还包括北京科华、南大光电、上海新阳，目前G线的国产材料自给率为60%、I线的国产自给率为20%，而国产KrF光刻已实现零的突破，但与国外先进存在两代的差距。）

苏州瑞红公司于2019年10月30日提出一项名为“一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物”的发明专利（申请号：201911044928.9），申请人为苏州瑞红电子化学品有限公司。

此专利为了提高台面芯片上的涂布均匀性，提供了一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，即一种新的环化橡胶组合物。该材料在有效保护台面芯片各个位置的衬底，不出现腐蚀钻蚀问题的前提下，兼容现有的芯片生产工艺制程，不出现浮胶、显影不净等质量异常，解决台面器件因腐蚀导致的外观不良和电性异常问题。

专利实际采用的技术方案包括环化聚异戊二烯、环化聚丁二烯、光敏剂、偶联剂等。其中环化聚异戊二烯的重均分子量范围为20W~30W，分子量分布Mw/Mn范围为1.0～1.5，环化率65%~80%；环化聚丁二烯的重均分子量范围为3.2W~3.8W，分子分布Mw/Mn范围为1.2～2.4，环化率70%~75%；光敏剂为2，6-二[（4-叠氮基苯基）亚甲基]-4-甲基-环己酮；偶联剂可采用氨丙基三乙氧基硅烷、缩水甘油迷氧基丙基三甲氧基硅烷等。这种新型光刻胶组合物利用异戊二烯及丁二烯环化橡胶的搭配，实现同时提高光刻胶台面涂布均匀性及增高光刻胶膜单位厚度下的曝光交联密度的目的，增强胶膜的抗酸能力、抗溶胀能力，在不降低工艺效率的基础上，保护台面玻璃不受腐蚀液侵蚀。

图1. 光刻胶台面涂布、显影、腐蚀示意图.

此专利提出的新型负性光刻胶在芯片台面涂布后的不同位置的胶膜厚度均匀性明显优于现有光刻胶。在利用光阻法GPP台面芯片涂布后，顶部厚度平均6.1微米，底部厚度平均15.5微米，台面拐角厚度平均可达到3.6微米，完全可以满足台面衬底保护需求。同时由图可见显影后并不引入浮胶、显影不良等问题，与生产工艺完全兼容，芯片腐蚀后衬底保护良好，无玻璃腐蚀现象。可以适用于GPP、TVS、二极管等台面器件的台面光刻和平面光刻，在台面的不同剖面位置，都具有良好的涂布膜厚均匀性。在保证台面顶部和底部胶膜厚度适中的条件下，大幅度提高台面拐角位置的胶膜厚度，有效的增加了光刻胶对衬底的保护能力。解决台面器件光刻胶难以良好保护衬底，导致外观及电性异常的问题。

以上就是苏州瑞红改进的新型高涂布均匀性负性光刻胶组合物，随着国内在产业下游印刷电路板、液晶显示器、芯片行业和国家科技重大专项政策的推动下，国产厂商如苏州瑞红已经实现了部分技术突破，相信随着半导体行业的发展和中国人消费需求的提高，光刻胶的进口依赖程度会进一步降低。

苏州瑞红主要为半导体用光刻胶和平板显示用光刻胶，包含紫外负型光刻胶和宽谱正胶及部分g线，i线正胶等高端产品。苏州瑞红拥有达到国际先进水平的光刻胶生产线，实行符合现代微电子化学品要求的净化管理，配备了国内一流的光刻胶检测评价装置，并承担了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目，在国内率先实现目前IC制造商大量使用的核心光刻胶即i线光刻胶的量产，产品采用步进重复投影曝光技术，可以实现0.35µm的分辨率。

RZJ系列紫外I线正性光刻胶是一款高感光度I线正型光刻胶，线条与通孔均可以应用，符合ULSI、VLSI等制造过程中高感光度高分辨率要求，极限分辨率可达到0.35μm。

RPN-1150是一款碱溶性化学增幅型负性光刻胶，适用于Lift-off工艺，具有可变的角度控制，良好的PEB窗口，易剥离及高热稳定性能力。

公司生产的光刻胶对应的核心生产工艺为产品配方技术，超洁净技术和质量控制技术。公司拥有100级净化灌装线，生产人员在洁净环境下根据公司自主研发的产品配方对原材料进行配比溶解，经调整后，进行精密过滤，最后灌装形成光刻胶成品，同时，公司拥有国内一流的光刻胶检测评价技术，为了保证公司产品质量，在每一步工艺流程后均会对公司产品进行质量检测分析，以满足客户对光刻胶的分辨率，感光灵敏度等技术指标要求。

中国半导体光刻胶的参与者