主题一：封测技术

苏斯中国带来SUSS XBS200全自动晶圆键合系统。SUSS MicroTec通用型XBS200键合平台，可兼容最大至200mm晶圆作业，实现阳极键合、热压键合（包括胶键合、共晶键合、扩散键合等多种键合方式）、直接键合、混合键合等全种类晶圆键合工艺。

设备集成的XBA键合对准模块，使用SUSS MicroTec专有晶圆间对准技术，实现晶圆（透明/非透明均支持）之间的亚微米级精度对准。该系统还包括显微镜自动校准等功能。其独有的激光预键合配置，可以在对准机上，就快速使对准的晶圆片相对固定，避免后续传送、压合过程中受各种因素影响而导致的偏移问题。

设备可以使用SUSS MicroTec最先进的XB键合模块。其科学设计的机械承压结构及加热系统，确保键合压力均匀性、温度均匀性俱能达到最理想状态，进而实现最佳工艺成品率。键合系统最高温度550℃，最大键合压力高达100kN。根据客户需要，对准键合精度可升级至<100nm （混合键合）。

混合键合，是通过介电层将基片连接，并同时实现基片间金属互联的工艺方式。在3D集成封装领域，这种键合方法越来越受到关注。TSV工艺的良率问题是三维堆叠集成电路工艺中的一大难题，尤其是在增加堆叠层数后，良率的问题愈显突出。这个问题现在有望通过芯片-晶圆片（D2W）的混合键合方式得以解决。但由于12寸晶圆片上将集成许多个芯片（数量取决于芯片及芯片间隙大小），所以如果每次堆叠全部都只采用D2W的方式实现，受到高精度贴片速度的影响，产能产率又将成为另一个必须考虑的问题。而可以同时解决这些问题的一种可行方法，是采用集成式芯片-晶圆的混合键合：即在12寸的载片上先以D2W贴片的作业方式布置所需的芯片（经挑选过的优良芯片），然后再采用集成式混合键合（W2W）将集成了所有芯片的载片一次性与目标晶圆片结合。本报告将介绍可用于12寸晶圆集成式混合键合的详细工艺，并结合实验数据和结果，展示并说明芯片-晶圆集成式混合键合的工艺流程，以及在亚微米级芯片对准叠层时，如何保证芯片、晶圆间对准精度，以提高良率等关键问题。

蔡维伽先生目前就任SUSS MicroTec公司的键合技术专家一职。自2006年加入SUSS以来，他便一直专注于晶圆键合工艺。十多年来，他和SUSS全球晶圆键合专家团队，与国内多家半导体工厂、研究所及大学共同工作，帮助客户研究，发展及完善晶圆键合工艺在半导体制造多个领域的应用。