Ultra C Tahoe清洗效果可媲美单片晶圆清洗，而硫酸消耗量仅为其数分之一

盛美半导体设备宣布，世界首台槽式与单片清洗集成设备——Ultra C Tahoe，现已在大生产线上正式商用。Ultra C Tahoe清洗设备可应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗、CMP后清洗等制程，具有提升清洗制程效果，缩减化学药液成本，并显著降低硫酸废液排放量等优势。

由于全球对环境问题的日益关注，加上政府部门对半导体工业产生的废液排放进一步加强监管和限制，因此迫切需要一款既能降低化学药液用量，又不牺牲清洗制程效果的清洗设备。尤其需要重视的是，目前业内对半导体工业排放的废硫酸的处理方法欠佳，仍有部分地区（如美国）使用填埋式处理，此方法很有可能会给环境带来风险。在部分土地资源受限的地区（如韩国，台湾，上海等），填埋式处理方法无法实施的情况下，高温纯化处理方法也会是一种选择，然而，高温纯化处理也将面临能源耗费以及温室气体排放等一系列的问题。

 “硫酸废液的处理是先进集成电路制造中的重要挑战。例如在台湾，半导体工厂占用了该地区硫酸总使用量的一半以上。”盛美半导体设备的CEO王晖说，“单凭槽式清洗，无法满足28nm及以下技术节点的制程要求，因此，清洗技术逐渐从槽式清洗转变为单片清洗，由此提高清洗制程效果。然而，这一转变大大地增加了硫酸消耗量，使得目前对硫酸废液的处理引发了一系列安全问题，能耗问题，以及环境问题。盛美半导体设备开发了独具自主知识产权的Tahoe设备，其优秀的清洗效果与灵活的制程适用性可与单片晶圆清洗设备相媲美，满足客户的期望，与此同时，其硫酸的消耗量却仅为单片晶圆清洗设备的数分之一。我们认为它一举两得，既使半导体工业技术路线得以继续向下延伸，又兼顾环保问题，节省了在废液排放上的巨大开支。”

Ultra C Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块。在槽式模块中，配有硫酸双氧水混合液（SPM）清洗与快速倾卸冲洗（QDR），SPM制程药液在此独立的槽式模块中被循环使用，与单片SPM清洗相比，至少可减少80%的硫酸废液排放。Tahoe设备中，槽式清洗之后，晶圆将在湿润状态下，被传至单片模块，进行进一步的先进清洗制程。

单片清洗腔体可按客户需求进行灵活的配置，如配备标准清洗液（SC1），氢氟酸（HF），臭氧水（DI-O3），以及其它各种制程药液。单片清洗腔体可配置至多4支摆臂，每支摆臂可提供至多3种制程药液。还可选配氮气雾化水清洗摆臂或盛美独有的智能兆声波摆臂进行兆声波清洗。该系统还可为图形片提供所需的IPA干燥功能。

Ultra C Tahoe清洗设备，现已被证明其具有可与最先进的单片晶圆清洗设备相匹配的低交叉污染风险和优秀的颗粒去除效果，而且其SPM的消耗量比单片清洗设备低得多。盛美半导体设备客户端商业大产线数据表明，30nm条件下，与传统槽式SPM清洗设备相比，此集成式的Tahoe清洗设备可将晶圆上的颗粒数控制从数百颗降低到十颗。以每日处理两千片晶圆为例，Tahoe清洗设备每日消耗硫酸仅不到两百升，与单片SPM设备相比，每日可减少超过一千六百升硫酸废液排放。

现在， Ultra C Tahoe清洗设备已可全球商用，包括在台湾地区，韩国及美国等地。请联系您区域的盛美半导体设备销售代表，以获得更多资讯，满足您工厂的客制化需求。

关于盛美半导体的湿法设备

盛美坚持差异化创新竞争战略，致力于为集成电路制造业提供先进的晶圆清洗和湿法加工设备，形成了以清洗机、电镀机和先进封装湿法设备为主的产品线。其中，盛美自主研发的清洗机SAPS与TEBO首次解决了兆声波清洗技术在单片晶圆清洗设备上应用的两大世界性难题。SAPS解决兆声波在硅片表面的均匀性难题；TEBO解决兆声波在图形硅片上的破坏难题，使得客户端芯片成品率比国外同类产品提高了数个百分点。目前，公司已在全球进行了相关专利布局，产品成功进入国际、国内先进生产线。
2019年，盛美与国内厂家密切合作，在国际上首次推出共同研发的单片槽式组合清洗机Tahoe设备，并获得主流晶圆厂初步验证，有望在未来几年解决困扰集成电路制造多年的硫酸用量大和处理难的全球半导体芯片产业性难题；盛美首台前道铜互连电镀机也于今年成功进入前道大马士革工艺客户端，先进封装电镀机也已销售多台到国内最大的先进封装客户。

关于盛美半导体

盛美公司1998年在美国硅谷成立。2005年，在上海市的引进和支持下在张江成立了盛美上海公司。在全球化的背景下，盛美于2017年11月正式登陆美国纳斯达克，是首家赴美上市的中国半导体设备公司。2018年，公司在集成电路装备领域销售5.2亿元，实现100%的年增长，2019年预计销售超过7亿元，实现近40%增长。