来源：Yole Group

Weebit Nano (Weebit)是全球半导体行业先进内存技术的开发商和授权商，其与一级半导体代工厂DB HiTek已完成（投入制造）一款演示芯片，该芯片集成了 Weebit 的嵌入式电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 模块和 DB HiTek 的 130nm 双极-CMOS-DMOS (BCD) 工艺。高度集成的演示芯片将用于客户生产前的测试和鉴定，同时展示 Weebit 技术的性能和稳健性。 

Weebit 和 DB HiTek 合作中的这一重要里程碑（之前于 2023 年 10 月 19 日宣布）作为技术转让过程的一部分按时完成。两家公司正致力于将 Weebit ReRAM 提供给 DB HiTek 客户，以便将其作为嵌入式非易失性存储器 (NVM) 集成到他们的片上系统 (SoC) 中，并计划在 2025 年第二季度使该技术获得认证并投入生产。Weebit ReRAM 现已可供部分 DB HiTek 客户在生产前进行设计原型设计。 

DB HiTek 的 130nm BCD 工艺非常适合消费、工业和物联网设备等应用中的模拟、混合信号和高压设计。对于这些应用，Weebit ReRAM 提供了一种经济高效、低功耗的 NVM，易于集成，并且可在高温下工作。ReRAM 在 BCD 工艺中比闪存具有显著优势，因为它是一种后端 (BEOL) 技术，不需要进行大量的工艺调整。与传统的多次可编程 (MTP) 技术相比，Weebit ReRAM 还具有更高的密度和耐用性。

Weebit Nano 首席执行官 Coby Hanoch 表示：“这一里程碑证实了我们正在按计划推进 DB HiTek 的 BCD 工艺中 ReRAM 的认证，让代工厂的广大客户群能够使用该技术。我们已经与几位 DB HiTek 客户进行了早期采用讨论，对此十分有兴趣，乐意将 ReRAM 集成到他们的 SoC 中。其中一个感兴趣的领域是智能电源管理集成电路 (PMIC)，将 PMIC 与微控制器 (MCU) 集成在一个芯片上可以带来性能、安全性、功率和成本优势。” 

DB HiTek 首席执行官 Ki-Seog Cho 表示：“我们的许多客户，尤其是那些拥有电源管理和高压设计的客户，都希望获得嵌入式 ReRAM 的优势。Weebit ReRAM 将为我们 130nm BCD 工艺的客户提供低功耗、经济高效且高密度的 NVM。通过从双芯片解决方案转向单芯片解决方案，可以节省成本和功耗，并降低复杂性和尺寸。我们与 Weebit 有着良好的合作关系，很高兴能够继续这一非常有前景的合作。”

一旦获得认证，DB HiTek 将把 Weebit 的内存模块添加到其 BCD 130nm 工艺设计套件 (PDK) 中。DB HiTek 客户可以使用 PDK 中的标准模块，也可以根据自己的需求定制模块。 

演示芯片包含一个 1Mb ReRAM 模块，可根据需要扩展至其他密度。这个完全集成的模块还包括所有必要的控制逻辑、智能算法、解码器、IO（输入/输出通信元件）和纠错码 (ECC)。它采用独特的模拟和数字电路设计运行智能算法，该专利正在申请中，可显著增强内存阵列的技术参数。ReRAM模块进一步集成到演示芯片中，包含一个用于嵌入式应用的完整子系统，其中还包括 Weebit ReRAM 模块、RISC-V MCU、SRAM、外设和系统接口（包括 SPI、UART、JTAG 和 GPIO）。 

原文链接：

https://www.yolegroup.com/industry-news/weebit-nano-and-db-hitek-tape-out-reram-module-in-db-hiteks-130nm-bcd-process/

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