来源：Silicon Semiconductor

Rapidus表示，日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）已批准其2024财年计划和预算。

Rapidus表示，日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）已批准了“后5G信息和通信系统基础设施增强研发项目/先进半导体制造技术开发（委托）”下的“基于日美合作的2纳米代半导体集成技术和短TAT制造技术的研发”的2024财年计划和预算。此外，NEDO还选中了“2nm代半导体的Chiplet开发、封装设计和制造技术”提案。

2022年11月，Rapidus的提案被选为下一代半导体研发项目，用于“基于日美合作的2nm代半导体集成技术和短TAT制造技术的研究和开发”。 基于该项目，Rapidus开始在日本北海道千岁市建设IIM（Innovative Integration for Manufacturing）制造基地，并通过向IBM公司派遣工程师，开发2nm代逻辑半导体的量产技术，并实现了目标 2023 财年。此外，随着本财年计划和预算的批准，Rapidus将开始无尘室运营，并引进EUV光刻机和其他制造设备，为2025年4月开始的中试线运营做好准备。

随着“第二代半导体的 Chiplet 和封装设计与制造技术的开发”提案被选中，Rapidus 将开发 Chiplet 封装的设计和制造技术，旨在建立必要的设计套件和 Chiplet 测试技术。 用于大规模生产和设计小芯片封装，通过使用 2 纳米一代半导体实现更大尺寸和更低能耗。

这些后端工艺领域需要与前端工艺中尖端半导体的发展同步创新。 Rapidus 旨在为其客户提供快速统一的制造服务 (RUMS)，通过提供设计支持和集成的前端和后端流程，实现短 TAT 半导体制造。

对于后端工艺，Rapidus将利用精工爱普生公司千岁工厂（北海道千岁市Bibi 758-173）的一部分进行试点阶段的研究和开发，该工厂毗邻千岁市工业园区Bibi World正在建设的IIM。 

Rapidus将建立以短TAT生产为特色的国内代工厂业务，以确保先进逻辑半导体的国内供应，这是经济安全的关键，并为提高日本的产业竞争力和提高国民生活的便利性做出贡献。

原文链接：

https://siliconsemiconductor.net/article/119165/NEDO_approves_Rapidus%E2%80%99_FY2024_Plan_and_Budget

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