2021/11/26 23:28:37
到目前为止,也只有少数几家欧美公司可以制造出高纯度硅片,而且随着以后芯片制成越来越低,硅片暴露出的缺点也越来越多,也就是说硅片已经满足不了未来芯片的发展需求,为此很多科研机构和高等院校都在研发新型半导体材料。最近,云南大学就先拔头筹,率先一步开发出最新的半导体材料硫化铂。
众所周知,硅片的局限性越来越大,暴露出来的缺点也越来越多。首先就是硅片的提纯越来越难,要制造芯片就需要纯度非常高的硅片,芯片工厂要降低生产成本,又需要大尺寸硅片,但是尺寸越大的硅片提纯技术也越困难,所以大尺寸硅片制造技术就被几家寡头公司所垄断,这也导致芯片制造的成本高。
其次,硅芯片的性价比不高,同样制成的芯片,硅芯片的性能远远低于碳基芯片,功耗却高于碳基芯片,基于碳材料的成熟制成,芯片性能和功耗等同于七纳米的硅基芯片,由此可见探击芯片的无限潜力。还有就是目前的芯片制成将要达到硅片的物理极限,由于硅片的物理特性,很多科学家断言基于硅片的最先进制程很可能会停留在两纳米。
最后就是硅基芯片的产线成本太高,目前硅基芯片的制造需要很多高精密设备,越先进的制程需要的设备就越多,投资也就越大,一条先进制成的产线动辄需要上百亿美元的投入,这已经超出很多中小国家的预算。
基于以上几点原因,相关企业和院校开发新型半导体材料已是箭在弦上、势在必行。台积电为了保持优势,选择半金属材料铋元素,作为世界芯片代工巨头,台积电早就知道硅基芯片的局限性,他们早就在寻找硅片的替代品,希望借此延续台积电在芯片制造领域的领导地位。
但是铋元素的缺点也是非常明显,首先就是铋元素在地球上的含量非常少,根据相关单位的统计,全世界的铋元素含量也只有三十多万吨,比白银还稀有,而且大部分铋元素都位于中国,其次就是铋元素的提纯工艺非常复杂,提纯后的铋非常柔软,想在铋上面雕刻线路图非常困难。
而且台积电被西方资本控制,自然不会希望原材料被我们掌控,所以铋元素大概率会无疾而终,除了铋元素外,还有一种碳基材料也备受科研人员的青睐,那就是石墨烯,石墨烯有很大的优势和潜力,但是石墨烯也存在一些缺点,比如石墨烯吸收光源的能力低下,而且目前还停留在实验室阶段,难以大规模量产,成本降不下来。
那么什么是硫化铂呢?
硫化铂是一种无机化合物,具有稳定性好等特点,是极具潜力的半导体材料之一。
石墨烯作为碳基第三代半导体材料,是一种典型的二维纳米材料,它具备化学、光、电、机械等一系列优良的特性,但也存在零带隙、光吸收率低等缺点,这也限制石墨烯了的应用范围,所以类石墨烯材料应运而生了。
那么硫化铂就是一石墨烯材料,硫化铂不仅具备类似石墨烯的范德华力结合的层状结构,在具备大容量、高架空性的同时,还拥有优异的光、电、磁等性能。
与石墨烯相比,硫化铂拥有良好的内部结构稳定性、透光性和杂质较少的优点,很好弥补了石墨烯的缺点。另外,硫化铂还具备较宽的能量间隙和高可控性。
云南大学材料与能源学院、云南省微纳材料与技术重点实验室杨鹏、万艳芬团队通过物理气相沉积和化学气相沉积相结合的方式,在合适的温度、压强等条件下,实现制备大面积少层、均匀的平方厘米级的硫化铂材料,并表征了相关物理特性,解决了硫化铂合成的一系列问题,为我国早日实现硫化铂商用,提供了新的技术支持,并且相关研究成果发表在国际著名材料学术刊物《现代材料物理学》上。
据国外媒体报道,三星预计会在2022年6月份量产3nm,骁龙8 Gen1有可能采用这个工艺。台积电的3nm工艺也将在明年下半年量产。并且他们也都在研究更高水平的工艺制程,例如2nm、1nm。
我们都知道,硅基芯片受限于摩尔定律,想要实现更低的工艺制程,很有可能需要新的材料。那么,台积电在1nm工艺的研发中,使用了半金属铋,铋作为二维材料的接触电极,可大幅降低电阻并提高电流,使其效能几乎与硅一致,不过这是一个多方联合研究的成果。
首先是麻省理工的团队发现在二维材料上搭配半金属的电极,能大幅降低电阻并提高传输电流。随后台积电技术研究部门将沉积制程进行优化,同时台湾大学团队并运用氦离子束微影系统将元件通道成功缩小至纳米尺寸,最终取了得了技术突破。相关的科研成功也发布在了国际顶级科学期刊《自然》上。
不过的储量很少,全球储量只有33万吨,并且提纯难度高,注入杂质缓冲粒子的过程慢。这势必也会影响在半导体领域的应用前景。而与铋元素相比,硫化铂的成本更低、产出效率更高、实际性能以及功耗表现优越,这些优点让硫化铂成为可以延续摩尔定律的最佳候选材料之一。
云南大学的这项科研成果,可以说为我国半导体行业开辟更宽广应用场景,硫化铂有望成为我国突破先进制程封锁的关键半导体材料之一,具有重大意义,有助于我们早日实现自主生产高端芯片的目标。所以我相信,在我国科学家们的努力下,中国半导体一定可以追赶上世界最先进的水平,并且实现反超。(来源:微博-万大叔来了, )
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