来源：腾讯科技、EETime

11月4日，国家知识产权局就中国科学院微电子研究所（IMECAS）201110240931.5发明专利（FinFET专利）无效申请案下达无效宣告请求审查决定书，宣告该专利权部分无效。早在2018年2月，中国科学院微电子研究所起诉英特尔等公司在酷睿（Core）系列处理器中侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET专利……

原标题：“中科院起诉英特尔索赔2亿的芯片技术专利被部分无效，维权变难”

2018年2月，中科院微电子所（全称：中国科学院微电子研究所，IMECAS）在北京高院起诉英特尔侵犯专利权。中科院微电子所诉称，英特尔酷睿（Core）系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法（专利号：201110240931.5）”的FinFET技术专利，要求英特尔停止侵权，赔偿至少2亿元人民币，并承担诉讼费用，同时申请法院下达禁令。

英特尔在2018年3月26日对该专利向专利复审委员会（现：专利复审和无效审理部）提出无效宣告请求，期间共先后6次在中国和美国对涉诉专利及其美国同族，提起专利无效申请或复审请求，均未得到理想结果。专利复审委于2019年1月31日作出无效决定：维持有效。

同时，英特尔对涉案专利的美国同族专利发起两次专利无效程序（IPR程序），但美国专利商标局均驳回其无效申请，复审和重审请求均被驳回。由于美国的IPR程序是先要初步审查的，只有初步审查认为有无效可能性才会受理无效请求，这也表明中科院微电子所的涉案专利权稳定性较高。

但英特尔没有放弃对国内涉案专利发起无效程序，其在2020年1月22日再次向专利复审和无效审理部对涉案专利提起无效，2020年8月27日作出无效决定：部分无效。

此次无效法律依据只有22.2（新颖性），没有22.3（创造性）、26.3（公开充分）和26.4（范围清楚和支持）。

无效证据只有一份：CN102768957A（简称：证据1），该无效证据的专利权人也是中国科学院微电子研究所。

证据1构成无效证据的理由是其专利申请日为2011年5月6日，公开日为2012年11月7日，而涉案专利的专利申请日为2011年8月22日，也就是涉案专利申请日在证据1的专利申请日之后且在公开日之前。

当上述日期关系形成后，如果证据1的专利内容与涉案专利的权利要求相同或等同，则证据1与涉案专利构成抵触申请，涉案专利的相应权利要求的缺乏新颖性。

关于FinFET

FinFET是一种3D晶体管设计，与普通平面晶体管相比，具有电学性能良好、可扩展性强和兼容性较高等优势，备受业界的瞩目。值得注意的是，韩国高级科学技术研究院也曾就FinFET相关技术与三星电子引发专利纠纷，最终三星电子败诉并赔偿4亿美金而告终。

英特尔从2011年22nm工艺三代 Core 处理器，就开始采用FinFET技术，随后台积电才跟进。Core系列处理器奠定了英特尔消费类PC的霸主之路，现在FinFET也是全球主流晶圆厂的优先之选。

业界普遍认为，FinFET技术只能最多应用到5nm工艺，然而前段时间，台积电方面表示，其3nm工艺，也会采用FinFET技术，可见FinFET技术具备不小的潜力和较高的商业价值。这起专利侵权诉讼可以说波及面非常广。

2020年8月27日作出的无效决定：

宣告201110240931.5号发明专利的权利要求8、10、14无效，在权利要求1-7、9、11-13的基础上继续维持该专利有效。

涉案专利201110240931.5的授权权利要求及被无效权利要求对比

1. 一种制作半导体器件结构的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上沿第一方向形成鳍；在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线，所述栅极线经由栅介质层与鳍相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；以及在形成电介质侧墙之后，在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅电极。

2. 根据权利要求1所述的制作半导体器件结构的方法，其中，通过在预定区域处切断所述栅极线，来实现器件间电隔离。

3. 根据权利要求2所述的方法，其中，还在预定区域处切断电介质侧墙。

4. 根据权利要求1所述的制作半导体器件结构的方法，其中，通过使所述栅极线在预定区域处的部分转变为绝缘材料，来实现器件间电隔离。

5. 根据权利要求4所述的制作半导体器件结构的方法，其中，通过向预定区域处注入氧，使得所述栅极线在预定区域处的部分转变为绝缘氧化物，来实现器件间电隔离。

6. 根据权利要求1所述的制作半导体器件结构的方法，其中 在形成所述电介质侧墙之后，以及完成所述半导体器件结构的金属互 连之前，进行器件间电隔离。

7. 根据权利要求1所述的制作半导体器件结构的方法，其中，在所述电介质侧墙形成之后且在进行器件间电隔离之前，所述方法进一步包括：将所述栅极线去除以在所述电介质侧墙内侧形成开口；以及 在所述开口内形成替代栅极线。

8. 一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的多个单元器件，每一单元器件包括：沿第一方向延伸的鳍；沿与第一方向交叉的第二方向延伸的栅电极，所述栅电极经 由栅介质层与鳍相交；以及 在所述栅电极两侧形成的电介质侧墙， 其中，沿第二方向相邻的单元器件各自的栅电极和电介质侧墙分 别由沿第二方向延伸的同一栅极线和同一电介质侧墙层形成，所述栅极线在所述相邻的单元器件之间的预定区域中包括第一电隔离部，所述电介质侧墙层仅在所述栅极线外侧延伸。

9. 如权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述第一电隔离部还延伸至所述电介质侧墙层中，以将沿第二方向相邻的单元器件的电介质侧墙隔开。

10. 如权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述第一电隔离部包括预定区域处所述栅极线中的切口，所述切口中填充有电介质材料。

11. 如权利要求10所述的半导体器件结构，其中，所述切口还延伸贯穿所述电介质侧墙层。

12. 如权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述第一电隔离部包括由预定区域处所述栅极线的材料转变而来的绝缘材料。

13. 如权利要求12所述的半导体器件结构，其中，所述绝缘材料包括氧化物。

14. 根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述单元器件包括鳍式场效应晶体管。

上述十四项权利要求中，权利要求1-7为方法权利要求，权利要求8-14为产品权利要求。被无效的三项权利要求均为产品权利要求且包括其独立权利要求，这对于专利权人来说可能会导致胜诉概率下降：

1、主张侵犯方法权利要求的证据收集难度大于产品权利要求，即使适用举证责任倒置，专利权人至少需要能提供初步证据，而英特尔是否在国内使用该制作方法存疑。

2、产品独立权利要求被认定缺乏新颖性后，其从属权利要求被无效的概率增大，尤其是以创造性作为无效依据，也就是说产品权利要求的稳定性均可能受到极大挑战。