来源：中国电力电子产业网

北方华创THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉积设备Move in国内集成电路制造龙头企业。该设备的交付，意味着国产立式LPCVD设备在先进集成电路制造领域的应用拓展上实现重大进展。

氮化硅(Si₃N₄) 薄膜是一种应用广泛的介质材料。作为非晶绝缘物质，氮化硅膜的介质特性优于二氧化硅膜，具有对可动离子阻挡能力强、结构致密、针孔密度小、化学稳定性好、 介电常数高等优点，常用于集成电路制造中的介质绝缘、杂质掩蔽、浅沟道隔离、掩膜、外层钝化保护等工艺。作为一种性能优良的重要介质材料，在集成电路制造 领域，氮化硅薄膜广泛使用LPCVD类型设备制备，而颗粒控制水平是设备能力的一项重要指标。

北方华创在氮化硅工艺设备THEORIS SN302D的开发过程中，通过整合已有产品平台技术，针对性地研发了快速升降温加热技术和炉口气流优化技术，良好地解决了氮化硅工艺过程中颗粒控制不稳 的技术性难题。并在满足常规生产能力的基础上，为提升客户使用的附加价值，进一步开发了长恒温区反应腔室设计，实现了高产能的硬件技术解决方案，匹配市场 的多样化需求。

经过10余年的创新发展，北方华创立式炉从无到有，从设备研发到产业化，目前已形成氧化(Oxide)、退火(Anneal)、化学气相沉积(LPCVD)、合金(Alloy)四大系列工艺设备，设备性能达到国际同类产品的先进水平。北方华创在不断拓展产品应用领域的同时，也将致力于帮助客户提升工艺性能、提高产能、降低成本，为半导体集成电路领域的广大客户带来无限可能。

延伸报道：

在CASA举办的一系列在线研讨会上，北方华创第一刻蚀事业部张轶铭博士发表了题为《面向化合物半导体芯片的刻蚀装备》的报告，重点介绍了北方华创在化合物半导体芯片产业的特色刻蚀装备与工艺解决方案。

北方华创GDE C200刻蚀机通过独特的腔室设计与工艺开发，展现出优异的 SiC背孔/SiC trench刻蚀的量产性能，具有刻蚀速率快、MTBC长、Pillar缺陷少、Wafer表面温度低、均匀性好、选择比高、工艺窗口宽等一系列优点，完美适用于GaN-on-SiC RF、SiC功率等器件的量产。

另一款产品GSE C200刻蚀机已服务于多个著名Foundry/IDM工厂，它拥有超强的工艺兼容性，适用于GaN/SiNx低损伤刻蚀 、GaAs背孔/Mesa刻蚀、InP Wave-guide/Grating刻蚀等刻蚀工艺，在GaN功率、GaAs RF/VCSEL、InP、FBAR/SAW/BAW滤波器等器件的生产方面，为客户展示了十分稳定的量产能力。

此外，北方华创在深硅刻蚀工艺上也获得了海外市场的认可，型号为HSE系列的等离子刻蚀机具备高等离子密度，可达成高速、高深宽比、高均匀性刻蚀，目前该设备已全面服务于深硅刻蚀量产工艺。

随着万物智联、AIoT、大数据、云计算、汽车电子、VR/AR等领域的迅速发展，化合物半导体芯片相关产业将迎来大幅度增长。