5G商用给滤波器行业带来巨大的发展机会，作为无线通讯系统射频前端最重要的核心器件，滤波器/双工器的市场需求持续增长。诺思作为国际领先的体声波滤波器（BAW）供应商，经过多年深耕，在产品的研发和推广方面取得了全面的进展。2019年至今，为满足客户国产化替代的迫切需求，诺思在已陆续发布多款高性能BAW滤波器基础上，进一步推出了覆盖Band1/2/3/4/5/7/8（表1）的全套基于BAW工艺的高性能双工器系列产品，及支持载波聚合的Band1+3四工器。诺思现有产品能够覆盖全球智能手机滤波芯片70%的市场份额，这也标志着诺思在滤波器、双工器、多工器领域的完整布局。我们相信，射频滤波芯片大规模全面国产替代的趋势即将爆发，我国各类无线终端企业供应链也将彻底告别受制于人的历史。

诺思致力于工艺、设计与产品的技术研发，通过采用先进的射频滤波设计方案和新一代BAW滤波器工艺技术（谐振器品质因数Q值高达5000），诺思双工器产品性能已比肩或超越国际一流厂商的产品性能，并在多家国内知名企业通过验证，完全满足客户的应用需求。

诺思双工器产品开始形成系列化及批量化生产与应用，将为国内众多客户提供非常有价格竞争力、可直接Pin-to-Pin替代的双工器解决方案。同时，诺思提供多样化的产品形式，包括塑封芯片、WLP封装芯片或裸die，以满足终端、基站、模组等不同客户的需求。通过优良的产品性能及丰富的产品形式，诺思必将引领突破当前双工器市场被国外厂商垄断的局面。

将ROFS双工器产品与国外主流竞品进行对比测试，部分数据（测试于+25℃）显示如下：

图1：Band1通带更低的插入损耗。TX插损优于竞品0.2dB，RX优于竞品0.5dB。

图2：Band2更优的隔离度，将近10dB的优势带来了接收端口（RX）更加优异的接收灵敏度。

图3：Band3兼容通带低损耗与高滚降，已成为市场最优选择之一。

图4：Band4通带更低的插入损耗，TX优于竞品0.3dB，RX优于竞品1dB。

图5：Band5通带更低的插入损耗，TX优于竞品0.2dB，RX优于竞品0.5dB。

图6：Band7通带更低的插入损耗、更好的平坦度。

图7：Band8通带更低的插入损耗，TX优于竞品0.4dB，RX优于竞品0.8dB。

诺思双工器具有低插损、高带外抑制、高隔离度和高功率容量（>30dBm）等优良特性，主推尺寸为目前主流的1814（1.8mm*1.4mm）封装，同时也提供下一代更小尺寸1612（1.6mm*1.2mm）封装，为日渐小型化的终端客户设计提供更灵活的选择。

诺思公司将把握5G发展的巨大机会，持续为终端客户设计提供更灵活、更优性能、更具性价比的器件选择，同时协同产业链上下游各个环节，继续实现技术与市场的突破，进一步推动我国滤波器产业的发展。