来源：第三代半导体产业技术创新联盟CASA

1月10日上午，中共中央、国务院在北京举行国家科学技术奖励大会。由中国科学院提名，李晋闽研究员牵头的编号J-219-1-01《高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化》项目荣获国家科学技术进步奖一等奖，该项目主要完成人为：李晋闽，林科闯，王军喜，伊晓燕，刘志强，范玉钵，林洺锋，朱晓东，李国平，袁毅凯，阮军，梁毅，吴晞敏，蔡文必，刘乃鑫。主要完成单位为：中国科学院半导体研究所，三安光电股份有限公司，厦门华联电子股份有限公司，深圳市洲明科技股份有限公司，河北立德电子有限公司，北京良业环境技术股份有限公司，鸿利智汇集团股份有限公司，佛山市国星光电股份有限公司，北京半导体照明科技促进中心，厦门光莆电子股份有限公司。

半导体行业相关企业的获奖摘录：

1、CETC体系：由国基北方13所蔡树军副所长牵头联合55所等兄弟单位牵头的新一代射频芯片项目获“国家科技进步一等奖”，这是中国电科成立以来，在基础元器件领域获得的首个国家科学技术进步一等奖。

董事长卜爱民（右），副总经理蔡树军（左）

2. 有研半导体参与的“大尺寸硅片超精密磨削技术与装备”项目获得国家技术发明奖二等奖。
3. 杭州士兰微参与的“高效模数转换器和模拟前端芯片关键技术及应用”项目获得国家技术发明奖二等奖。胡铁刚先生为主要完成人之一。

该项目发明了高效可配置模数转换及模拟前端芯片架构、高效误差数字校准及高精度时钟、高效模拟前端采样等技术，可应用于多维传感器、锂电管理系统等系列产品，解决了高效模数转换器及模拟前端芯片的自主可控发展难题。

4. 浙江金瑞泓参与的“微量掺锗直拉硅单晶技术及其应用”项目获得国家技术发明奖二等奖。
5. 株洲中车参与的“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”项目获得国家技术发明奖二等奖。

       由国家铁路局提名，株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师刘国友牵头的编号F-30802-2-03《高压大电流IGBT芯片关键技术及应用》荣获国家技术发明奖二等奖，该项目主要完成人为：刘国友（株洲中车时代电气股份有限公司），盛况（浙江大学），罗海辉（株洲中车时代电气股份有限公司），覃荣震（株洲中车时代电气股份有限公司），黄建伟（株洲中车时代电气股份有限公司），肖海波（株洲中车时代电气股份有限公司）。

（左-->右：覃荣震、盛况、刘国友、罗海辉）

6. 苏大维格参与项目“面向柔性光电子的微纳制造关键技术与应用”获得国家科技进步奖二等奖。
7. 海康威视参与项目“面向公共安全的大规模监控视频智能处理技术及应用”获得国家科技进步奖二等奖。
8. 湖北兴福参与的“芯片用超高纯电子级磷酸及高选择性蚀刻液生产关键技术”荣获国家科学技术进步奖二等奖。
9. 无锡华润上华参与的“高性能MEMS器件设计与制造关键技术及应用”荣获国家科学技术进步奖二等奖。