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链接：台积电5nm良率已达50%

由于国内的芯片制造工艺跟不上国产芯片设计的发展脚步，且国外尤其是美国对于芯片制造工艺设置的壁垒将越来越多；这给国内FAB厂带来无形的压力。

此前中芯国际已经表示14nm工艺已经在试产了，今年就会迎来一轮爆发，年底有望达到目前的3-5倍，同时12nm也进入了测试阶段，今年还有希望试产更先进的7nm工艺（SiSC：之前花费1.2亿美元订购的ASML的光刻机到货了？）。另外外媒有报道，2025年中国本地PC和服务器的处理器30%有望在境内设计与制造。

据了解，中芯国际14nm工艺早在2015年就开始研发，2019年已经解决了技术问题。之前有媒体还报道，中芯国际高管表态称14nm工艺的良品率已经达到了95%，技术成熟度还是很不错的。

不过对于中芯国际而言，良率达到只是第一道门槛，大规模量产是一个更大的门槛，这个过程最需要的就是客户，需要有14nm工艺的客户需求，需求量越高产能才有可能建设得更大，在这一点上，中芯国际还处于初期阶段，相比三星、台积电劣势明显。前不久，华为已确定就14nm工艺下单。

不过对于14nm工艺而言，三星和台积电都已经过了折旧期，所以中芯国际的工艺在成本上优势明显，而且中芯国际也只能依靠中国大陆的客户支持。至于产能问题，上海的中芯南方12英寸晶圆厂生产，2019年底生产了1000片晶圆左右，产量很低。根据中芯国际联席CEO梁孟松此前在财报会议上的说法，14nm月产能将在今年3月达到4K，7月达到9K，12月达到15K，将是目前规模的3-5倍；中芯国际的14nm产能在15000片晶圆/月之后应该不会继续提升了，还有更新的工艺。

中芯国际14nm工艺未来还有望改进到12nm FinFET工艺。据官方介绍，相对于14nm工艺，12nm工艺主要是晶体管尺寸进一步缩微，功耗可降低20%、性能提升10%、错误率降低20%。目前的进展是，12nm工艺已进入客户导入阶段。

在今年2月13日召开的2019Q4财报会议上，梁孟松博士首次公开了N+1、N+2代工艺的情况，他说N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。芯片面积缩减55%意味着晶体管密度提升了1倍，这超过了14nm到10nm工艺的进化水平，台积电从14nm到7nm也就是提升了1倍的密度。这意味着从功耗以及稳定性的角度来看，N+1基本上是跳过10nm进阶至7nm。但从性能来看，这个10%的提升不足以证实N+1堪比7nm工艺，按照业内的标准理应提升35%。综上所述，中芯国际推出的N+1工艺主要是用于制造低功耗芯片的，有望今年年底开始试产，正式量产要排到明年了。

继N+1之后，中芯国际在规划N+2代FinFET工艺，这两者在功耗上表现差不多，区别在于两者的性能及成本，N+2是面向高性能工艺，成本也会增加。

与台积电的7nm工艺路线类似，7nm节点共推出三种工艺，包括低功耗N7、高性能N7P、以及N7+，事实上直至2019年3月用于量产的N7+工艺才开始用到EUV光刻机，再往后的5nm节点，EUV工艺便是标配了，光罩层数从4层提升到14层。

此前有分析师认为，2020年将是中国半导体行业的一个分水岭，未来中国科技公司能够掌握多项先进的半导体技术。

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在14/12nm工艺量产之后，大家都知道这件事对国内半导体制造意义重大，但具体有多大影响？从分析机构的评估来看，有了14/12nm工艺之后，国内90%的芯片代工需求都可以满足，换句话说即便遇到意外情况，中芯国际14/12nm量产之后国内也可以自己代工生产90%以上的芯片。

目前台积电、三星等晶圆代工厂已经开始量产7nm工艺了，今年还会有5nm工艺量产，从最顶级工艺的水平来说，中芯国际与这些公司依然存在2-3代的代差。但是从另一个角度来说，7nm及之后的制程工艺成本越来越高，需要而且用得起这种工艺的芯片会越来越少，今年确定能上5nm的只有华为麒麟1020、苹果A14了。

所以说，尽管国产14nm工艺距离最先进水平还有很长的路要走，但是只要稳定量产了，国内大部分高性能芯片还是可以保证的，Intel目前的桌面处理器、AMD的锐龙一代及二代也是14/12nm级别工艺生产的，它们可不是什么过时、落伍的技术。