FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On Insulator)制程与主流的FinFET (Fin Field-Effect Transistor)制程都是半导体产业中可量产的技术，其中FinFET主要用于高性能器件，如GPU和CPU，例如台积电的主流制程均采用FinFET。

FD-SOI在市占率虽然不如FinFET，但优势是功耗较低，22nm制程的器件可拥有勘比14/16nm FinFET电晶体的功耗，而且理论上可以做到10nm以下，值得一提的是格芯已经掌握12nm FD-SOI的技术，由于低功耗的优势，该技术普遍被认为在传感器、通讯芯片以及物联网应用上颇具潜力。

目前全球只有三家供应商能提供合规的SOI晶圆，分别是法国的Soitec、日本信越半导体以及美国的SunEdison，由于供应量少，导致SOI晶圆的价格远高于主流的硅晶圆，价差可以贵上数倍。

CEA-Leti首席执行官在上海FD-SOI论坛上表示：先进的FD-SOI是Edge AI的关键

2019年9月16日，CEA-Leti的首席执行官Emmanuel Sabonnadière在第七届上海FD-SOI论坛的一个小组中解释了先进的FD-SOI将如何帮助实现Edge AI。为了充分发挥人工智能在边缘计算方面的优势，该研究所正在利用先进的FD-SOI与其他技术组合，研究一种无监督学习神经网络。其中包括嵌入式非易失性内存(NVM)、3D集成和新的设计工具。 

Sabonnadière说，这种新方法有望超越目前使用神经网络进行数字深度学习的性能水平，神经网络能够处理时域信号、声音和语音，并可能为高级SOI开发出第一款“杀手级应用”。 

当神经网络根据接收到的新数据推断事物时，人工智能将需要紧凑而高效的推理电路，以接近最终用户。FD-SOI、3D集成和NVM的结合为专用电路开辟了一条道路，在分布式电子设备有限的电力预算范围内实现了性能的重大改进。

“非常积极的技术节点”

1992年，CEA-Leti 创造了FD-SOI技术，并建立了Soitec公司。一直以来，CEA-Leti致力于改进和扩展该技术，特别是在Edge AI将使用的非常积极的技术节点上。目前，FD-SOI技术已集成到数百万台游戏机和智能手机中，并且正在成为游牧电子、汽车工程和物联网(IoT)领域的标准。这些应用都要求以非常低的能耗进行高性能处理。Sabonnadière表示，未来，FD-SOI可能会成为联网汽车市场的标准配置，而联网汽车需要高效节能的能源处理。 

展望未来，Sabonnadière指出，CEA-Leti已经展示了先进的FD-SOI在12纳米及以下的发展路线图。该公司正与顶级半导体公司讨论，寻求利用该技术开发新的移动和汽车应用。CEA-Leti还希望探索在中国开发FD-SOI平台。

CEA-Leti 和 SITRI

CEA-Leti 与上海微技术工业研究院（SITRI）从2016年开始了持续的合作，SITRI是一个国际创新中心，专注于在全球范围内加速创新超越摩尔技术和商业化，以推动物联网发展。双方今后将继续合作推进FD-SOI在中国的发展。