当前半导体制程微缩已经来到10纳米节点以下，EUV极紫外光光刻技术已成为不可或缺的设备，包括现在的7纳米制程，以及未来5纳米、3纳米甚至2纳米制程都将采用该技术。

藉由EUV设备导入，不仅可以加快生产效率、提升良率，还能降低成本，除了晶圆代工业者积极导入，连DRAM存储器生产厂商也考虑引进。

为了因应制程微缩的市场需求，全球主要生产EUV设备的厂商ASML正积极开发下一代EUV设备，就是High-NA（高数值孔径）EUV产品，预计几年内就能正式量产。

根据韩国媒体《ETNews》报导，High-NA的EUV设备与目前EUV设备的最大不同点，在于使用EUV曝光时，透过提升透镜解析度，使解析度（resolution）和微影叠对（overlay）能力比现行EUV系统提升70%，达到业界对几何式芯片微缩（geometric chip scaling）的要求。

ASML利用德国蔡司半导体业务部门的技术提升透镜解析度，就为了此目的，ASML于2016年正式收购了德国蔡司半导体业务部门24.9%股权。

针对下一代High-NA的EUV产品，ASML之前也已从3个主要客户取得4台订单，并售出8台High-NA EUV产品的优先购买权。这些订单中，晶圆代工龙头台积电也是其中之一。

事实上，2018年时，台积电就宣布增加3亿美元资本支出，为下一代EUV设备的预付款，也就是已预购新一代High-NA的EUV设备。针对新一代High-NA EUV设备，ASML预计2025年正式量产。

来源：TechNews科技新报