Arm 基于台积公司22纳米ULP技术的POP IP，

力助联咏科技推进数字电视芯片

2019年3月27日 – Arm宣布基于台积公司22纳米ULP技术的Arm POP IP受联咏科技(Novatek)采用，结合Arm big.LITTLE架构的核心优势，为数字电视市场的芯片发展开创全新局面。

当前，电视系统正迈入革命性的新时代。更高分辨率的视频、全面扩展的服务以及全新的AI驱动功能，将带动用户需求的提升与设备数量的增长。这让终端消费者为之振奋，但同时也为SoC芯片设计人员带来巨大的挑战。要在电视系统中增加上述功能，意味着芯片的复杂度也随之增加，因此工程团队不仅要努力在成本与功能之间找到平衡点，还需提供出色的用户体验，并缩短产品的上市时间。

Arm的合作伙伴联咏科技致力于提供种类众多的显示驱动IC以及多媒体SoC芯片。为满足4K数字电视系统日趋复杂的需求，联咏科技率先引入基于台积电22纳米超低功耗(Ultra Low Power，ULP)制程的Arm Artisan物理IP ，并完成数字电视SoC芯片的设计流片，在业内实现了零的突破。

这一里程碑成就彰显了Arm与联咏科技之间长期稳定的伙伴关系。联咏科技拥有应用Arm内核以及Arm Artisan物理IP的丰富经验，并开发了多代SoC芯片，涵盖从40纳米到22纳米的多个制程，为数字电视市场提供了众多领先的产品。针对未来市场，联咏科技下一款SoC将结合POP IP与Arm内核的各项优势，并采用big.LITTLE架构，进一步扩展其在数字电视市场的竞争优势。

运用POP IP让SoC设计更加简易

台积公司的22纳米超低功耗 (ULP) 与超低漏电 (Ultra Low Leakage，ULL) 技术提供优化且简化的迁移路径，衔接台积公司28HPC+制程。此外，SoC芯片设计团队还能一次跨越多个制程，包括从40纳米或55纳米制程直接跨入到这两种台积公司22纳米制程。

2018年5月，Arm 宣布与台积公司携手，开发22纳米ULP与ULL平台，其中包括晶圆厂支持开发的内存编译器。此外，对这些编译器形成补充的还包括配有电源管理套件的超高密度与高性能的标准单元库(standard cell libraries)，以及用于优化漏电功率的厚栅氧化单元(Thick Gate-Oxide Library)。再加上General Purpose I/O (GPIO)通用I/O解决方案，为用户构建了一个完整的基础IP方案。

联咏科技迅速地发挥了这项全新技术机会的优势，运用台积公司22纳米ULP制程的POP IP，获得顶尖功耗、性能以及面积(PPA)组合的Arm CPU内核，并制程生产出首款采用22纳米技术的4K 数字电视SoC。

联咏科技SOC事业群总经理张忠恒(J. H. Chang)表示：“多年来，与Arm的合作伙伴关系使我们能够将真正创新的SoC带入日益增长且竞争激烈的4K电视市场。Arm完整的实施解决方案推动了围绕Arm CPU内核打造顶尖的PPA组合。通过开发定制化内存实例与参考流程方法，并配合我们采用的电子设计自动化(EDA)设计流程，Arm的POP IP让我们以最快的速度将产品推向市场。”

数字电视市场当前的主要焦点是提升用户体验，这也使得4K电视设计中所采用的SoC芯片，无可避免地面临面积更大且更复杂的挑战。Arm的big.LITTLE 架构结合 Arm POP IP 让设计团队在性能、功耗以及成本之间取得平衡，从而为客户提供最佳的解决方案。这种模式以及合作不仅简化设计流程，还能加快产品上市时间。此外，包括像联咏科技在内的合作伙伴，可以通过POP驻地团队 (POP Landing Team)，免费获得Arm的现场支持，缩短作业完成时间，使其设计成品更快投入市场。