深圳2018年10月31日电 /美通社/ -- 近日，由青铜剑科技、基本半导体、中欧创新中心联合主办的第二届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳会展中心成功举行。

本届高峰论坛和第三代半导体产业技术创新战略联盟达成战略合作，与第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛同期举行，来自中国、欧洲及其他国家的专家学者、企业领袖同台论剑，给现场观众带来了一场第三代半导体产业的盛宴。

中欧第三代半导体高峰论坛活动现场

立足国际产业发展形势，从全球视角全面探讨第三代半导体发展的现状与趋势、面临的机遇与挑战，以及面向未来的战略与思考是中欧第三代半导体高峰论坛举办的宗旨。目前第三代半导体功率器件市场拐点已经到来，未来5-10年将高速增长，国际竞争和合作是大趋势，技术创新和市场导入至关重要。中国政府正在积极部署发展第三代半导体，充分调动社会各方面的创新资源，促进产业和技术的发展，逐渐形成产业集群式发展，在第三代半导体领域实现跨越。

在上午举行的碳化硅材料与电力电子器件技术论坛上，山东大学教授、晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚以及美国伦斯勒理工学院功率电子系统中心主任、教授周达成共同主持会议。碳化硅功率器件领导品牌基本半导体副总经理张振中、瑞典 Ascatron 公司首席技术官 Adolf SCHONER、瑞典皇家理工学院教授 Mietek BAKOWSKI、美国G T Advanced Technologies 首席技术官P.S.RAGHAVAN、香港应用科技研究院功率器件组总监袁述等专家分别发表主题演讲，围绕高性能3D SiC JBS二极管、10千伏高压4H 碳化硅PIN二极管的少子寿命调制、WBG电力设备的现状和采用前景、碳化硅功率器件性能、衬底技术、功率模块和矩阵变换器等话题进行了详细介绍和深入探讨。

基本半导体副总经理张振中博士发表主题演讲

基本半导体张振中博士从碳化硅性能优势、应用领域、产业链环节、技术发展路径和全球产业分布等方面介绍了碳化硅产业发展现状，并重点介绍了基本半导体先进的3D SiC技术，以及自主研发的高性能碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品。张振中博士的分享吸引了现场行业人士的浓厚兴趣，演讲结束后许多观众来到基本半导体展台咨询，进一步了解基本半导体产品和技术优势。

基本半导体总经理和巍巍博士参加圆桌论坛

下午举行的功率器件及驱动技术分论坛是一年一度行业人士和新老朋友的聚会，活动由青铜剑科技市场总监蔡雄飞主持，董事长汪之涵博士开场致欢迎词并介绍公司情况。论坛特别邀请到国内光伏领域领军企业阳光电源以及轨道交通龙头企业中国中车的技术专家出席活动并作技术分享。阳光电源技术专家杨宗军详细介绍了光伏逆变器驱动应用、关键技术以及典型案例，并现场解答观众提问。中车时代电动张旭辉博士也专程出席活动并压轴登场，介绍中国中车碳化硅驱动案例。

青铜剑科技研发总监黄辉和高级工程师熊凯分别介绍了青铜剑科技驱动技术以及碳化硅驱动产品。基本半导体技术营销经理刘诚分享了最新的碳化硅器件及应用方案。大会为行业人士提供了技术、信息交流的平台，通过前沿技术及行业观点的碰撞，促进行业健康快速发展。

本届高峰论坛吸引了来自世界各国的第三代半导体行业人士，干货满满的技术分享让在场观众纷纷表示收获很大、不虚此行。开放创新，合作共赢，创芯聚智，共享生态，第二届中欧第三代半导体高峰论坛圆满落幕，让我们共同期待明年再相聚，共话第三代半导体产业新未来。