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中科大与中芯国际在光刻工艺取得重要进展 |
成功在光刻工艺模块中建立了极坐标系下规避显影缺陷的物理模型。通过该模型可有效减小浸没式光刻中的显影缺陷,帮助缩短显影研发周期,节省研发成本,为确定不同条件下最优... |
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新一代5纳米制程芯片亮相,相较之前产品面积... |
核心面积只有 0.0184 mm2 到 0.0205mm2 ,使用的是 Unisantis 所开发的垂直型环绕栅极(Surrounding Gate Transistor,SGT)结构,最小栅极距只有 50nm。 |
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广东省首个第三代半导体制造业创新中心成立 |
将创新链、产业链、资金链进行有机整合,创新政产学研用联合机制,系统理论与技术创新,产业集群发展,打造电力电子技术高地、培养研发及产业技术人才,传播新技术... |
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