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| FPA-8000Iw是面向后道工序的i线步进式光刻机，具有大视场曝光52×68mm、高标准的解像力1.0µm，满足max. 515×510mm的方形基板（芯片占用面积为93%，而300mm晶圆相对是64%），并针对大尺寸基板容易发生的翘曲问题，通过搭载新的传送系统，可在矫正10mm大翘曲的状态下进行曝光。 |
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| 佳能 |
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| 西门子数字化工业软件推出新款NX™ Sketch软件工具，用于捕捉2D概念；通过改变底层技术，用户在无需提前定义参数、设计意图与关系的情况下绘制草图。通过使用AI实时推断关系，用户可以摆脱纸张和徒手绘制，转而在NX™软件内真正构建概念设计。 |
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| 西门子 |
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| eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统能检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，加速高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线EUV光刻技术的芯片）。eSL10的研发始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出多项突破性技术，可提供高分辨率及高速检测功能，这是任何其他电子束系统都难以比拟的。 |
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| KLA |
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| 最新的短波红外（SWIR）检测方案，通过采用军用级摄像机的设计，可提供高清视觉检测结果。该项技术能检测封装设备的内部缺陷，例如内部裂纹、组件缺失、分层、崩缺等，尤其是WLCSP，这是使用标准解决方案所无法实现的。 |
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| Vitrox（伟特科技） |
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| 全新的Element™材料分析平台用作检测介电层控制解决方案，包括硼磷硅玻璃中的硼、磷元素浓度及先进制程中氢元素的监测。硬件搭配了独特且经过认证的高级算法，可胜任对客户极具挑战的制程控制。客户找到材料特性和芯片制造中变量的相关性，能轻松控制延展性并提高最终产能。 |
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| Onto Innovation |
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| Centris® Sym3® Y刻蚀系统采用创新的射频脉冲技术，为客户提供极高的材料选择性、深度控制和剖面控制，使之能够在3D NAND、DRAM和逻辑节点（包括FinFET和GAA）创建密集排列的高深宽比结构。 |
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| Applied Materials |
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| 在Die之间的互联上面，3D封装技术X-Cube使用成熟的TSV工艺，可大幅缩短芯片之间的信号距离，提高数据传输速度，降低功耗，客制化内存带宽及密度。X-Cube测试芯片已经能做到将SRAM层堆叠在逻辑层之上；这样SRAM与逻辑既可分离，又易于扩展SRAM的容量。 |
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| Samsung |
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| 台式分析仪OmniStar，可在大气压下分析气体，广泛运用于化学工艺、半导体工业等。机器的进气口配有毛细管，可在最高350°C的温度下使用，可以防止在过工艺气体分析过程中产生蒸气凝结。同时，得益于两级进气系统，气体供应几乎可以实现完全无分层。 |
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| 普发真空 |
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| SENDURO® MEMS全自动薄膜测量设备，用于传感器和MEMS制造。新设备配备反射仪并结合椭偏仪，基于最准确的步进扫描分析仪测量模式，可用于膜厚测量、光学常数(µ点)和基于多层堆栈的薄膜分析（基于SpectraRay/4软件）。 |
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| SENTECH |
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| Ultra C VI单晶圆清洗设备隶属Ultra C清洗系列的最新款，配备18个单片清洗腔体，适用于先进存储器的前道和后道的单晶圆清洗工艺，包括DRAM（≤1y节点）和3D NAND（≥128层）。包括如聚合物去除、中段钨或后段铜工艺的清洗、沉积前清洗、蚀刻后和CMP后清洗、深沟道清洗和RCA标准清洗。 |
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| 盛美 |
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| WG-1271减薄抛光一体机主要用于先进封装晶圆减薄抛光制备工艺，在同一承片台上同时进行上下片、粗磨、精磨、抛光的一体化功能；利用该设备可把晶圆减薄抛光到50µm以下，通过双面清洗系统，使晶圆片实现干进干出。 |
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| 中电科 |
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| SUSS XBS200全自动晶圆键合系统，可兼容最大至200mm晶圆作业，实现阳极键合、热压键合（包括胶键合、共晶键合、扩散键合等多种键合方式）、直接键合、混合键合等全种类晶圆键合工艺。 |
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| SUSS MicroTec |
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| NexION® 5000是一款化学高分辨多重四极杆电感耦合等离子体质谱（ICP-MS），因灵敏度高、检出能力强、分析速度快等特点用于半导体工业无机元素检测，包括过渡、碱、碱土、重金属及硼磷等无机元素。ICP-MS广泛用于晶圆、化学品、电子特气、靶材等的无机元素杂质检测。 |
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| PerkinElmer |
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| NMC612G金属铝刻蚀机用于DRAM和flash等存储器、以及0.13µm以下的逻辑产品中，设备有多种均匀性工艺调节手段，可有效优化刻蚀均匀性的分布；同时在不同线宽和pitch工艺中均能很好的控制刻蚀形貌。通过刻蚀后去胶腔处理，可以满足72小时无金属铝腐蚀的情况。 |
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| 北方华创 |
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